[發(fā)明專(zhuān)利]字線制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911095517.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110828466B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚邵康;巨曉華;黃冠群 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/11524 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11536;H01L27/1156;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作方法 | ||
1.一種字線制作方法,其特征在于,包括:
提供半導(dǎo)體基底,所述半導(dǎo)體基底表面具有沿預(yù)定方向排列的多個(gè)字線區(qū),所述半導(dǎo)體基底表面形成有字線材料層;
在所述字線材料層上形成多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu),所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)沿所述預(yù)定方向均勻排列在各個(gè)所述字線區(qū)內(nèi)部和所述字線區(qū)之間;
在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻,并去除所述第一核心結(jié)構(gòu)而保留所述側(cè)墻;
在所述側(cè)墻上形成第二掩模層,所述第二掩模層露出所述字線區(qū)且填充位于所述字線區(qū)之間的所述側(cè)墻的間隙;
以所述側(cè)墻和所述第二掩模層為保護(hù)層,刻蝕所述字線材料層,在所述字線區(qū)形成多條沿所述預(yù)定方向排列的字線,并在所述字線區(qū)之間形成選擇柵材料層;
在所述字線和所述選擇柵材料層上形成第三掩模層,所述第三掩模層露出所述選擇柵材料層的部分中間區(qū)域;以及
以所述第三掩模層為保護(hù)層,刻蝕所述選擇柵材料層,從而在所述字線區(qū)之間形成選擇柵。
2.如權(quán)利要求1所述的字線制作方法,其特征在于,所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)的形成方法包括:
在所述字線材料層上形成核心層;
在所述核心層上形成第一掩模層,所述第一掩模層包括在所述字線區(qū)內(nèi)和所述字線區(qū)之間沿所述預(yù)定方向均勻間隔排列的多個(gè)掩模結(jié)構(gòu);
利用所述多個(gè)掩模結(jié)構(gòu)為保護(hù)層,刻蝕所述核心層,從而在所述字線區(qū)內(nèi)和所述字線區(qū)之間形成沿所述預(yù)定方向均勻間隔排列的初始核心結(jié)構(gòu);以及
采用微縮工藝縮小每個(gè)所述初始核心結(jié)構(gòu)在高度和所述預(yù)定方向上的尺寸,得到所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法,其特征在于,沿所述預(yù)定方向,各個(gè)所述掩模結(jié)構(gòu)的尺寸相等且任意兩個(gè)相鄰的所述掩模結(jié)構(gòu)的間距相等。
4.如權(quán)利要求3所述的字線制作方法,其特征在于,所述微縮工藝為濕法刻蝕,所述微縮工藝的微縮率為40~60%。
5.如權(quán)利要求4所述的字線制作方法,其特征在于,所述微縮工藝的微縮率為50%,所述掩模結(jié)構(gòu)的寬度為相鄰兩根所述字線之間的間距的兩倍,相鄰兩個(gè)所述掩模結(jié)構(gòu)之間的間距為所述字線的寬度的兩倍。
6.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法,其特征在于,所述核心層和所述側(cè)墻的材料分別為氧化硅、氮化硅和多晶硅中的兩種。
7.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法,其特征在于,在所述字線材料層形成所述核心層利用LPCVD工藝或PECVD工藝。
8.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法,其特征在于,所述第一掩模層、第二掩模層及第三掩模層的材料為光刻膠。
9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的字線制作方法,其特征在于,在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成所述側(cè)墻的方法包括:
利用LPCVD工藝或ALD工藝在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)之間沉積側(cè)墻材料;以及對(duì)側(cè)墻材料進(jìn)行垂向干法刻蝕,以形成所述側(cè)墻。
10.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的字線制作方法,其特征在于,去除所述第一核心結(jié)構(gòu)而保留所述側(cè)墻的方法為濕法刻蝕。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





