[發明專利]字線制作方法

有效

• 申請號: 201911095517.2
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN110828466B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 姚邵康;巨曉華;黃冠群
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11536;H01L27/1156;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種字線制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底表面具有沿預定方向排列的多個字線區，所述半導體基底表面形成有字線材料層；

在所述字線材料層上形成多個第一核心結構，所述多個第一核心結構沿所述預定方向均勻排列在各個所述字線區內部和所述字線區之間；

在各個所述第一核心結構兩側形成側墻，并去除所述第一核心結構而保留所述側墻；

在所述側墻上形成第二掩模層，所述第二掩模層露出所述字線區且填充位于所述字線區之間的所述側墻的間隙；

以所述側墻和所述第二掩模層為保護層，刻蝕所述字線材料層，在所述字線區形成多條沿所述預定方向排列的字線，并在所述字線區之間形成選擇柵材料層；

在所述字線和所述選擇柵材料層上形成第三掩模層，所述第三掩模層露出所述選擇柵材料層的部分中間區域；以及

以所述第三掩模層為保護層，刻蝕所述選擇柵材料層，從而在所述字線區之間形成選擇柵。

2.如權利要求1所述的字線制作方法，其特征在于，所述多個第一核心結構的形成方法包括：

在所述字線材料層上形成核心層；

在所述核心層上形成第一掩模層，所述第一掩模層包括在所述字線區內和所述字線區之間沿所述預定方向均勻間隔排列的多個掩模結構；

利用所述多個掩模結構為保護層，刻蝕所述核心層，從而在所述字線區內和所述字線區之間形成沿所述預定方向均勻間隔排列的初始核心結構；以及

采用微縮工藝縮小每個所述初始核心結構在高度和所述預定方向上的尺寸，得到所述多個第一核心結構。

3.如權利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，沿所述預定方向，各個所述掩模結構的尺寸相等且任意兩個相鄰的所述掩模結構的間距相等。

4.如權利要求3所述的字線制作方法，其特征在于，所述微縮工藝為濕法刻蝕，所述微縮工藝的微縮率為40～60％。

5.如權利要求4所述的字線制作方法，其特征在于，所述微縮工藝的微縮率為50％，所述掩模結構的寬度為相鄰兩根所述字線之間的間距的兩倍，相鄰兩個所述掩模結構之間的間距為所述字線的寬度的兩倍。

6.如權利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，所述核心層和所述側墻的材料分別為氧化硅、氮化硅和多晶硅中的兩種。

7.如權利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，在所述字線材料層形成所述核心層利用LPCVD工藝或PECVD工藝。

8.如權利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，所述第一掩模層、第二掩模層及第三掩模層的材料為光刻膠。

9.如權利要求1至8任一項所述的字線制作方法，其特征在于，在各個所述第一核心結構兩側形成所述側墻的方法包括：

利用LPCVD工藝或ALD工藝在各個所述第一核心結構之間沉積側墻材料；以及對側墻材料進行垂向干法刻蝕，以形成所述側墻。

10.如權利要求1至8任一項所述的字線制作方法，其特征在于，去除所述第一核心結構而保留所述側墻的方法為濕法刻蝕。