[發(fā)明專(zhuān)利]字線制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911095517.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110828466B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚邵康;巨曉華;黃冠群
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11524
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11536;H01L27/1156;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種字線制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底表面具有沿預(yù)定方向排列的多個(gè)字線區(qū)，所述半導(dǎo)體基底表面形成有字線材料層；

在所述字線材料層上形成多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)沿所述預(yù)定方向均勻排列在各個(gè)所述字線區(qū)內(nèi)部和所述字線區(qū)之間；

在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻，并去除所述第一核心結(jié)構(gòu)而保留所述側(cè)墻；

在所述側(cè)墻上形成第二掩模層，所述第二掩模層露出所述字線區(qū)且填充位于所述字線區(qū)之間的所述側(cè)墻的間隙；

以所述側(cè)墻和所述第二掩模層為保護(hù)層，刻蝕所述字線材料層，在所述字線區(qū)形成多條沿所述預(yù)定方向排列的字線，并在所述字線區(qū)之間形成選擇柵材料層；

在所述字線和所述選擇柵材料層上形成第三掩模層，所述第三掩模層露出所述選擇柵材料層的部分中間區(qū)域；以及

以所述第三掩模層為保護(hù)層，刻蝕所述選擇柵材料層，從而在所述字線區(qū)之間形成選擇柵。

2.如權(quán)利要求1所述的字線制作方法，其特征在于，所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

在所述字線材料層上形成核心層；

在所述核心層上形成第一掩模層，所述第一掩模層包括在所述字線區(qū)內(nèi)和所述字線區(qū)之間沿所述預(yù)定方向均勻間隔排列的多個(gè)掩模結(jié)構(gòu)；

利用所述多個(gè)掩模結(jié)構(gòu)為保護(hù)層，刻蝕所述核心層，從而在所述字線區(qū)內(nèi)和所述字線區(qū)之間形成沿所述預(yù)定方向均勻間隔排列的初始核心結(jié)構(gòu)；以及

采用微縮工藝縮小每個(gè)所述初始核心結(jié)構(gòu)在高度和所述預(yù)定方向上的尺寸，得到所述多個(gè)第一核心結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，沿所述預(yù)定方向，各個(gè)所述掩模結(jié)構(gòu)的尺寸相等且任意兩個(gè)相鄰的所述掩模結(jié)構(gòu)的間距相等。

4.如權(quán)利要求3所述的字線制作方法，其特征在于，所述微縮工藝為濕法刻蝕，所述微縮工藝的微縮率為40～60％。

5.如權(quán)利要求4所述的字線制作方法，其特征在于，所述微縮工藝的微縮率為50％，所述掩模結(jié)構(gòu)的寬度為相鄰兩根所述字線之間的間距的兩倍，相鄰兩個(gè)所述掩模結(jié)構(gòu)之間的間距為所述字線的寬度的兩倍。

6.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，所述核心層和所述側(cè)墻的材料分別為氧化硅、氮化硅和多晶硅中的兩種。

7.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，在所述字線材料層形成所述核心層利用LPCVD工藝或PECVD工藝。

8.如權(quán)利要求2所述的字線制作方法，其特征在于，所述第一掩模層、第二掩模層及第三掩模層的材料為光刻膠。

9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的字線制作方法，其特征在于，在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成所述側(cè)墻的方法包括：

利用LPCVD工藝或ALD工藝在各個(gè)所述第一核心結(jié)構(gòu)之間沉積側(cè)墻材料；以及對(duì)側(cè)墻材料進(jìn)行垂向干法刻蝕，以形成所述側(cè)墻。

10.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的字線制作方法，其特征在于，去除所述第一核心結(jié)構(gòu)而保留所述側(cè)墻的方法為濕法刻蝕。