[發明專利]低介電常數的氧化硅膜層及其制備方法及半導體元器件在審
| 申請號： | 201911092609.5 | 申請日： | 2019-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112779519A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 金志勛;徐康元 | 申請（專利權）人： | 夏泰鑫半導體（青島）有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;C23C16/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭輝劍;龔慧惠 |
| 地址： | 266000 山東省青島市黃島區*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電常數 氧化 硅膜層 及其 制備 方法 半導體 元器件 | ||
1.一種低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其包括以下步驟：
將襯底置于等離子體化學氣相沉積的反應室中；以及
往上述反應室中通入等離子體激發氣體、反應氣體及呈氣態的醇類化合物或其混合物進行氣相沉積，獲得所述低介電常數的氧化硅膜層；
其中，所述反應氣體包括硅源氣體及氧源氣體，所述醇類化合物或其混合物的通入晚于所述等離子激發氣體的通入。
2.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，控制所述氣相沉積的條件為：工作溫度為100℃至1000℃，工作壓力為0.1mTorr至9Torr，以及工作功率為50W至5000W，以誘導形成所述低介電常數的氧化硅膜層。
3.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，所述反應氣體的流速為100sccm至10000sccm，所述醇類化合物或其混合物的流速為5sccm至10000sccm。
4.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，所述等離子體激發氣體選自氬氣、氮氣、氦氣及氫氣中的至少一種。
5.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體選自硅烷及硅酸乙酯中的至少一種，所述氧源氣體選自氧氣及笑氣中的至少一種。
6.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，所述醇類化合物的化學結構式為CxHyOz，其中，x、y及z分別選自1至10。
7.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，所述低介電常數的氧化硅膜層的介電常數為1.0至3.0。
8.如權利要求1所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法，其特征在于，在步驟“將襯底置于等離子體化學氣相沉積的反應室中”之后及步驟“往上述反應室中通入等離子體激發氣體、反應氣體及呈氣態的醇類化合物或其混合物進行氣相沉積”之前，所述低介電常數的氧化硅膜層的制備方法還包括：
對所述反應室進行抽真空。
9.一種由權利要求1-8中任一項所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層。
10.一種半導體元器件，其特征在于，包括由權利要求1-8中任一項所述的低介電常數的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
