[發(fā)明專利]低介電常數(shù)的氧化硅膜層及其制備方法及半導(dǎo)體元器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911092609.5
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN112779519A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金志勛;徐康元
• 申請（專利權(quán)）人: 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/50;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

一種低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法，其包括以下步驟：將襯底置于等離子體化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)室中；以及往上述反應(yīng)室中通入等離子體激發(fā)氣體、反應(yīng)氣體及呈氣態(tài)的醇類化合物或其混合物進(jìn)行氣相沉積，獲得所述低介電常數(shù)的氧化硅膜層；其中，所述反應(yīng)氣體包括硅源氣體及氧源氣體，所述醇類化合物或其混合物的通入晚于所述等離子激發(fā)氣體的通入。本發(fā)明還提供一種由上述低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層，以及一種包括上述低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層的半導(dǎo)體元器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種低介電常數(shù)的氧化硅膜層及其制備方法、以及具有該氧化硅膜層的半導(dǎo)體元器件。

背景技術(shù)

現(xiàn)如今，半導(dǎo)體元器件已廣泛地得到使用。半導(dǎo)體元器件通常包括電絕緣材料及設(shè)置于所述電絕緣材料中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在大數(shù)據(jù)時代，電子產(chǎn)品的信息處理不斷向著信號傳輸高頻化和高速數(shù)字化的方向發(fā)展。而半導(dǎo)體元器件中的連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電絕緣材料的介電常數(shù)時影響該半導(dǎo)體元器件高速運(yùn)行的一個重要因素。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法。

另，還有必要提供一種由上述低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層，以及一種包括上述低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層的半導(dǎo)體元器件。

一種低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法，其包括以下步驟：

將襯底置于等離子體化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)室中；以及

往上述反應(yīng)室中通入等離子體激發(fā)氣體、反應(yīng)氣體及呈氣態(tài)的醇類化合物或其混合物進(jìn)行氣相沉積，獲得所述低介電常數(shù)的氧化硅膜層；

其中，所述反應(yīng)氣體包括硅源氣體及氧源氣體，所述醇類化合物或其混合物的通入晚于所述等離子激發(fā)氣體的通入。

一種由上述的低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層。

一種半導(dǎo)體元器件，包括由上述的低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法制得的氧化硅膜層。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明制備方法制備的氧化硅膜層的介電常數(shù)較低，在應(yīng)用于半導(dǎo)體元器件中時，有利于半導(dǎo)體元器件的高速運(yùn)行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施方式的低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法的流程圖。

如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的一些實施方式作詳細(xì)說明。在不沖突的情況下，下述的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

請參閱圖1，本發(fā)明實施方式提供一種低介電常數(shù)的氧化硅膜層的制備方法，其包括以下步驟：

步驟S1，將襯底置于等離子體化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)室中。

本實施方式中，所述襯底為硅基板。

步驟S2，對置于所述反應(yīng)室中的所述襯底進(jìn)行預(yù)熱。

在本實施方式中，將所述襯底預(yù)熱至100℃至1000℃。