[發(fā)明專(zhuān)利]分辨率輔助圖形的篩選方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911091909.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110673437A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 熊麗娜;劉雪強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/70 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/70;G03F1/38 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輔助圖形 分辨率 強(qiáng)度分布圖 主圖形 測(cè)試版圖 虛擬光學(xué) 篩選 特征尺寸數(shù)據(jù) 關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù) 采集 批次測(cè)試 運(yùn)算量 減小 研發(fā) 進(jìn)度 分析 | ||
本發(fā)明提供一種分辨率輔助圖形的篩選方法,包括:基于規(guī)則的方式在測(cè)試版圖上的主圖形側(cè)添加分辨率輔助圖形,并將測(cè)試版圖分成不同的批次;采集各批次的測(cè)試版圖上的所述主圖形的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)及所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數(shù)據(jù);建立虛擬光學(xué)模型;調(diào)整虛擬光學(xué)模型的參數(shù)以使各批次測(cè)試版圖上的主圖形生成對(duì)應(yīng)的光學(xué)強(qiáng)度分布圖;根據(jù)所述光學(xué)強(qiáng)度分布圖篩選出特征尺寸符合要求的所述分辨率輔助圖形。其中,調(diào)整虛擬光學(xué)模型的參數(shù)使得主圖形生成光學(xué)強(qiáng)度分布圖,并通過(guò)分析所述光學(xué)強(qiáng)度分布圖來(lái)篩選出合適的分辨率輔助圖形,提高了采集并處理分辨率輔助圖形的特征尺寸數(shù)據(jù)的效率,減小了篩選分辨率輔助圖形的運(yùn)算量,加快了工藝研發(fā)進(jìn)度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種分辨率輔助圖形的篩選方法。
背景技術(shù)
通孔層是連接上下兩層金屬層或者是連接?xùn)艠O和金屬層的關(guān)鍵層,通孔層的工藝窗口通常為方形或長(zhǎng)方形,對(duì)于低工藝節(jié)點(diǎn),由于存在圖形邊緣失真的光學(xué)效應(yīng),使得掩膜版上的圖形真實(shí)曝光到晶圓上的結(jié)果為圓形或橢圓形。現(xiàn)有光刻工藝條件下,通孔層的工藝窗口比金屬層的工藝窗口小很多,其工藝窗口已經(jīng)成為影響產(chǎn)品良率的重要因素。添加SRAF(Sub-Resolution Assist Features,分辨率輔助圖形)是一種常見(jiàn)的低工藝節(jié)點(diǎn)的圖形工藝窗口增強(qiáng)方法。
傳統(tǒng)的基于規(guī)則的方式在測(cè)試版圖上的通孔圖形(主圖形)附近添加SRAF,并根據(jù)不同SRAF特征尺寸數(shù)據(jù)分批次出版若干測(cè)試版圖,在選定的光刻條件下曝光FEM(FocusExposure Matrix,聚焦曝光陣列)實(shí)驗(yàn)片,量測(cè)在不同SRAF特征尺寸數(shù)據(jù)下主圖形的FEM數(shù)據(jù),根據(jù)實(shí)際的工藝窗口的大小來(lái)篩選具有最佳特征尺寸數(shù)據(jù)的SRAF。但是SRAF的特征尺寸數(shù)據(jù)主要包括SRAF寬度,SRAF到主圖形的距離及SRAF與SRAF之間的間隔,并且要同時(shí)考慮SRAF添加的安全性,因此在眾多批次的測(cè)試版圖中篩選特征尺寸數(shù)據(jù)符合要求的SRAF需要采集并處理龐大的SRAF特征尺寸數(shù)據(jù),耗費(fèi)大量的人力物力及機(jī)臺(tái)資源。此外,目前還有基于模型的方式在測(cè)試版圖上添加SRAF的方法,但是基于模型的方式添加SRAF的運(yùn)算量比較大,其腳本運(yùn)行時(shí)間比基于規(guī)則的方式添加SRAF的腳本運(yùn)行時(shí)間多出近50%,而且SRAF形狀錯(cuò)綜復(fù)雜,掩膜版制作及SRAF安全性的驗(yàn)證成本及難度也會(huì)增加。
所以現(xiàn)在需要一種新的篩選SRAF的方法以解決在形成有通孔圖形的測(cè)試版圖上添加合適的SRAF時(shí)處理數(shù)據(jù)量大或者運(yùn)算量大的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種分辨率輔助圖形的篩選方法,以解決在測(cè)試版圖上添加合適的分辨率輔助圖形時(shí)處理數(shù)據(jù)量大或者運(yùn)算量大的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種分辨率輔助圖形的篩選方法,包括:
提供掩膜版的多個(gè)測(cè)試版圖,每個(gè)所述測(cè)試版圖上形成有主圖形;
基于規(guī)則的方式在所述主圖形側(cè)添加分辨率輔助圖形,并根據(jù)所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數(shù)據(jù)的不同將多個(gè)測(cè)試版圖分成不同的批次;
采集各批次的所述測(cè)試版圖上的所述主圖形的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)及所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數(shù)據(jù);
以所述主圖形的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)及所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)建立適用于所述測(cè)試版圖的虛擬光學(xué)模型;
調(diào)整所述虛擬光學(xué)模型的光源參數(shù)或者光刻條件參數(shù)以使各批次所述測(cè)試版圖上的所述主圖形生成對(duì)應(yīng)的光學(xué)強(qiáng)度分布圖;
根據(jù)所述光學(xué)強(qiáng)度分布圖篩選合格批次的所述測(cè)試版圖以篩選出特征尺寸符合要求的所述分辨率輔助圖形。
可選的,在所述分辨率輔助圖形的篩選方法中,利用所述光學(xué)強(qiáng)度分布圖分析不同光源參數(shù)或者不同光刻條件參數(shù)下的所述主圖形的關(guān)鍵尺寸生成的不同的擬合曲線之間的誤差是否超出預(yù)設(shè)的閾值以篩選合格批次的測(cè)試版圖。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





