[發明專利]分辨率輔助圖形的篩選方法在審
| 申請號: | 201911091909.1 | 申請日: | 2019-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN110673437A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 熊麗娜;劉雪強 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/70 | 分類號: | G03F1/70;G03F1/38 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助圖形 分辨率 強度分布圖 主圖形 測試版圖 虛擬光學 篩選 特征尺寸數據 關鍵尺寸數據 采集 批次測試 運算量 減小 研發 進度 分析 | ||
1.一種分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,包括:
提供掩膜版的多個測試版圖,每個所述測試版圖上形成有主圖形;
基于規則的方式在所述主圖形側添加分辨率輔助圖形,并根據所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數據的不同將多個測試版圖分成不同的批次;
采集各批次的所述測試版圖上的所述主圖形的關鍵尺寸數據及所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數據;
以所述主圖形的關鍵尺寸數據及所述分辨率輔助圖形的特征尺寸數據為基礎建立適用于所述測試版圖的虛擬光學模型;
調整所述虛擬光學模型的光源參數或者光刻條件參數以使各批次所述測試版圖上的所述主圖形生成對應的光學強度分布圖;
根據所述光學強度分布圖篩選合格批次的所述測試版圖以篩選出特征尺寸符合要求的所述分辨率輔助圖形。
2.根據權利要求1所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,利用所述光學強度分布圖分析不同光源參數或者不同光刻條件參數下的所述主圖形的關鍵尺寸生成的不同的擬合曲線之間的誤差是否超出預設的閾值以篩選合格批次的測試版圖。
3.根據權利要求1所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,所述分辨率輔助圖形的特征尺寸包括:所述分辨率輔助圖形的寬度、所述分辨率輔助圖形與所述主圖形的距離及相鄰且互相平行的所述分辨率輔助圖形之間的距離。
4.根據權利要求1所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,所述光源參數包括:光源內半徑和光源外半徑;所述光刻條件參數包括:散焦值和聚焦值。
5.根據權利要求4所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,在所述光源內半徑、所述光源外半徑及所述散焦值固定不變的情況下,針對同一主圖形,變化所述聚焦值以使各批次的測試版圖生成第一光學強度分布圖。
6.根據權利要求4所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,在所述散焦值、所述聚焦值及所述光源內半徑固定不變的情況下,針對同一主圖形,變化所述光源外半徑以使各批次的測試版圖生成第二光學強度分布圖。
7.根據權利要求4所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,在所述散焦值、所述聚焦值及所述光源外半徑固定不變的情況下,針對同一主圖形,變化所述光源內半徑以使各批次的測試版圖生成第三光學強度分布圖。
8.根據權利要求1所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,所述主圖形包括:通孔圖形。
9.根據權利要求8所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,所述通孔圖形根據密度不同分為:密集通孔圖形、半密集通孔圖形及孤立通孔圖形。
10.根據權利要求9所述的分辨率輔助圖形的篩選方法,其特征在于,在調整虛擬光學模型的光源參數或者光刻條件參數以使各批次測試版圖上的主圖形生成對應的光學強度分布圖之后、根據所述光學強度分布圖篩選合格批次的測試版圖以篩選出特征尺寸符合要求的所述分辨率輔助圖形之前,所述分辨率輔助圖形的篩選方法還包括:
在虛擬光學模型的光源參數及光刻條件參數固定不變的情況下,針對同一批次測試版圖,變化所述通孔圖形以生成第四光學強度分布圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911091909.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





