[發(fā)明專利]產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法及產(chǎn)品良率預(yù)測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911090135.0
• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN110852036B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱忠華;姜立維;魏芳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;G06F115/12
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供了一種產(chǎn)品的關(guān)鍵層的平均相似度的計(jì)算方法產(chǎn)品良率預(yù)測方法，包括：抽取產(chǎn)品的設(shè)計(jì)版圖中的多個關(guān)鍵層；對每個所述關(guān)鍵層拆分形成多個第一版圖中心點(diǎn)；對多個所述第一版圖中心進(jìn)行聚合運(yùn)算，形成第二版圖中心點(diǎn)；以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫；將所述新的產(chǎn)品圖形庫與歷史產(chǎn)品圖形庫做對比，獲取每層關(guān)鍵層相似度；根據(jù)多個關(guān)鍵層的每層關(guān)鍵層相似度獲取多個關(guān)鍵層的平均相似度。在本發(fā)明提供的中，通過對關(guān)鍵層劃分成多個子圖形，與歷史產(chǎn)品圖形庫進(jìn)行相似度運(yùn)算，獲取產(chǎn)品的平均相似度。最后通過產(chǎn)品良率和平均線相似度的關(guān)系預(yù)測下次生產(chǎn)中產(chǎn)品的良率，以此預(yù)判斷產(chǎn)品良率能否達(dá)標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法及產(chǎn)品良率預(yù)測方法。

背景技術(shù)

集成電路制造中光刻工藝最為關(guān)鍵，它決定著集成電路制造工藝的先進(jìn)程度。隨著集成電路在向納米級方向發(fā)展，光刻工藝采用光波的波長也逐漸從近紫外光(NUV)區(qū)間的436nm、365nm波長慢慢進(jìn)入到深紫外(DUV)波段區(qū)間的248nm、193nm。現(xiàn)在大部分集成電路制造采用的仍然是248nm和193nm光刻技術(shù)。雖然對于13nm波長的(EUV)極遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)的研究已有成果，但現(xiàn)今應(yīng)用于集成電路生產(chǎn)的主流光刻工藝的光波波長卻一直維持在193nm。在曝光機(jī)臺波長不更新的情形下，曝光圖形尺寸的卻不斷縮小，會產(chǎn)生許多符合設(shè)計(jì)規(guī)則而實(shí)際工藝窗口較差的光刻圖形，光刻工藝差異較小的圖形在制造過程中會影響產(chǎn)品良率。由于客戶產(chǎn)品中的版圖設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜，如果能充分有效地利用已經(jīng)大批量生產(chǎn)產(chǎn)品版圖與良率數(shù)據(jù)來預(yù)測新版圖對新產(chǎn)品最終良率的影響，這將會在設(shè)計(jì)過程中節(jié)約漫長的DFM驗(yàn)證時間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法及產(chǎn)品良率預(yù)測方法，可以預(yù)測產(chǎn)品的最低良率。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法，用于計(jì)算當(dāng)前生產(chǎn)的產(chǎn)品的多個關(guān)鍵層上的圖形與歷史上生產(chǎn)的產(chǎn)品的關(guān)鍵層的圖形的平均相似度，包括：

抽取產(chǎn)品的設(shè)計(jì)版圖中的多個關(guān)鍵層；

對每個所述關(guān)鍵層拆分形成多個第一版圖中心點(diǎn)；

對多個所述第一版圖中心進(jìn)行聚合運(yùn)算，形成第二版圖中心點(diǎn)；

以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫；

將所述新的產(chǎn)品圖形庫與歷史產(chǎn)品圖形庫做對比，獲取每層關(guān)鍵層相似度；

根據(jù)多個關(guān)鍵層的每層關(guān)鍵層相似度獲取多個關(guān)鍵層的平均相似度。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述關(guān)鍵層包括金屬層和接觸孔層，所述接觸孔層包括接觸孔，所述金屬層包括多個圖形。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述對抽取的接觸孔層拆分形成多個第一版圖中心點(diǎn)的方法包括：選取接觸孔的中心第一版圖中心點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述對抽取的關(guān)鍵層拆分形成多個第一版圖中心點(diǎn)的方法包括：圖形的頂角以及頂角在相鄰圖形的邊上的投射點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述獲取產(chǎn)品相似度的方法包括：所述形成第二版圖中心點(diǎn)的方法包括：以多個第一版圖中心點(diǎn)，分別劃分第一正方形區(qū)域，若多個第一正方形區(qū)域有重疊，則以重疊區(qū)域的中心為第二版圖中心點(diǎn)，若沒有重疊區(qū)域，則將第一版圖中心點(diǎn)作為第二版圖中心點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，以第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫的方法包括：以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心點(diǎn)劃分多個第二正方形區(qū)域，多個所述第二正方形區(qū)域內(nèi)的圖形即為劃分出的子圖形，多個子圖形組成新的產(chǎn)品圖形庫。