[發(fā)明專利]基板保持裝置、基板處理裝置和基板保持方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911086918.1 | 申請日: | 2019-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN111244020A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 上野幸一 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內上*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 處理 方法 | ||
1.一種基板保持裝置,包括:平臺,自下方支撐基板;以及矯正機構,對支撐于所述平臺的所述基板的翹曲進行矯正,所述基板保持裝置利用所述平臺來保持由所述矯正機構矯正了所述翹曲的所述基板,所述基板保持裝置的特征在于,所述矯正機構具有:
矯正塊,能夠在所述基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動;
氣體層形成部,自所述矯正塊的下表面朝向所述基板的上表面噴出第一氣體,在所述基板的上表面與所述矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及
移動部,使所述矯正塊在與所述基板保持非接觸狀態(tài)的同時向下方移動,由此將所述氣體層按壓至所述周緣部來矯正所述基板的翹曲。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板保持裝置,還包括:
定位部,在所述基板的下表面由所述平臺支撐、并且所述周緣部被所述氣體層按壓的狀態(tài)下,自所述基板的外側與所述基板的側端部抵接,對所述平臺上的所述基板的水平位置進行調整。
3.根據(jù)權利要求2所述的基板保持裝置,還包括:
氣體供給部,在通過所述定位部調整所述基板的水平位置的期間,自所述平臺朝向所述基板的下表面供給第二氣體。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的基板保持裝置,還包括:
抽吸部,在通過所述定位部調整了所述基板的水平位置之后,抽吸由所述矯正機構矯正了所述翹曲的所述基板的下表面,將所述基板吸附保持于所述平臺。
5.根據(jù)權利要求4所述的基板保持裝置,其中,
在開始所述平臺上的所述基板的吸附保持之后,所述移動部使所述矯正塊移動至自所述平臺離開的退避位置。
6.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的基板保持裝置;以及
噴嘴,朝向由所述基板保持裝置保持的所述基板的上表面噴出處理液。
7.一種基板保持方法,在矯正了由平臺自下方支撐的基板的翹曲之后,利用所述平臺來保持所述基板,所述基板保持方法的特征在于,
在所述基板的上表面的周緣部的上方配置矯正塊,
自所述矯正塊的下表面朝向所述基板的上表面噴出第一氣體,在所述基板的上表面與所述矯正塊的下表面之間形成氣體層,
使所述矯正塊在與所述基板保持非接觸狀態(tài)的同時向下方移動,由此將所述氣體層按壓至所述周緣部來矯正所述基板的翹曲。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社斯庫林集團,未經株式會社斯庫林集團許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911086918.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:圓筒型電池及其制造方法
- 下一篇:一種電磁聚焦的高增益牛眼天線
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





