[發(fā)明專利]基板保持裝置、基板處理裝置和基板保持方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911086918.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111244020A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上野幸一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內(nèi)上*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保持 裝置 處理 方法 | ||
本發(fā)明的課題在于在不產(chǎn)生起塵且不對(duì)基板導(dǎo)入損傷的情況下,確實(shí)地消除基板的翹曲而良好地保持基板的整個(gè)區(qū)域。一種基板保持裝置,包括自下方支撐基板的平臺(tái)、以及對(duì)支撐于平臺(tái)的基板的翹曲進(jìn)行矯正的矯正機(jī)構(gòu),所述基板保持裝置利用平臺(tái)來保持由矯正機(jī)構(gòu)矯正了翹曲的基板,其中,矯正機(jī)構(gòu)具有:矯正塊,能夠在基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動(dòng);氣體層形成部,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及移動(dòng)部,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態(tài)的同時(shí)向下方移動(dòng),由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。本發(fā)明還涉及一種基板處理裝置和基板保持方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種保持液晶顯示裝置或有機(jī)電致發(fā)光(electroluminescence,EL)顯示裝置等的平板顯示屏(flat panel display,F(xiàn)PD)用玻璃基板、半導(dǎo)體晶片(wafer)、光掩模(photomask)用玻璃基板、彩色濾光片(colour filter)用基板、記錄磁盤用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板、半導(dǎo)體封裝用基板(以下簡稱為“基板”)的技術(shù),具體涉及一種基板保持裝置、基板處理裝置和基板保持方法。
背景技術(shù)
以前,對(duì)基板進(jìn)行涂布液的涂布等處理的基板處理裝置是在通過基板保持裝置對(duì)基板進(jìn)行了保持的狀態(tài)下執(zhí)行對(duì)基板的處理。例如在專利文獻(xiàn)1中,作為所述基板處理裝置的一例而記載了涂布裝置。所述涂布裝置包括:基板保持裝置,吸附并保持載置于平臺(tái)的上表面的基板的下表面;以及狹縫噴嘴,在與由基板保持裝置所保持的基板的上表面接近的狀態(tài)下,相對(duì)于所述基板沿水平方向相對(duì)移動(dòng),由此在基板的上表面涂布涂布液。
在所述基板保持裝置中,為了抑制在基板的周緣部附近產(chǎn)生的翹曲的影響,在平臺(tái)的周圍配置有按壓構(gòu)件。而且,在基板的翹曲大的情況下,按壓構(gòu)件對(duì)基板的上表面的周緣部自上方進(jìn)行按壓,來矯正基板的翹曲。因此,可將基板的整個(gè)區(qū)域吸附保持于平臺(tái)上,從而可良好地進(jìn)行涂布處理等基板處理。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2013-175622號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
然而,在所述基板保持裝置中,按壓構(gòu)件與基板的上表面接觸來施加負(fù)荷,因此產(chǎn)生了如下問題。即,有時(shí)會(huì)在基板中的與按壓構(gòu)件物理接觸的部位導(dǎo)入損傷。另外,有因所述接觸而產(chǎn)生灰塵或顆粒等的所謂起塵的問題。
本發(fā)明是鑒于所述課題而完成的,其目的在于提供一種在不產(chǎn)生起塵且不對(duì)基板導(dǎo)入損傷的情況下,確實(shí)地消除基板的翹曲而良好地保持基板的整個(gè)區(qū)域的技術(shù)。
[解決問題的技術(shù)手段]
本發(fā)明的第一方式為一種基板保持裝置,包括:平臺(tái),自下方支撐基板;以及矯正機(jī)構(gòu),對(duì)支撐于平臺(tái)的基板的翹曲進(jìn)行矯正,所述基板保持裝置利用平臺(tái)來保持由矯正機(jī)構(gòu)矯正了翹曲的基板,所述基板保持裝置的特征在于,矯正機(jī)構(gòu)具有:矯正塊,能夠在基板的上表面的周緣部的上方沿上下方向移動(dòng);氣體層形成部,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層;以及移動(dòng)部,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態(tài)的同時(shí)向下方移動(dòng),由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。
本發(fā)明的第二方式為基板處理裝置,包括:所述基板保持裝置、以及朝向由基板保持裝置保持的基板的上表面噴出處理液的噴嘴。
本發(fā)明的第三方式是一種基板保持方法,在矯正了由平臺(tái)自下方支撐的基板的翹曲之后,利用平臺(tái)來保持基板,所述基板保持方法的特征在于,在基板的上表面的周緣部的上方配置矯正塊,自矯正塊的下表面朝向基板的上表面噴出第一氣體,在基板的上表面與矯正塊的下表面之間形成氣體層,使矯正塊在與基板保持非接觸狀態(tài)的同時(shí)向下方移動(dòng),由此將氣體層按壓至周緣部來矯正基板的翹曲。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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