[發明專利]測試鍵結構

在審

• 申請號: 201911086116.0
• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN112768435A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 王喆
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01B7/02;H01L23/525
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種測試鍵結構，應用于檢測電熔絲圖案的制作工藝寬容度，其特征在于，該測試鍵結構包含：

導體材料層，定義至少一測試區域，每一該測試區域包含中央部、兩第一子部、兩第二子部、兩第一窄頸部及兩第二窄頸部，其中，

該中央部具有相對的兩第一端及相對的兩第二端，

該兩第一子部分別對應于該兩第一端設置，

該兩第二子部分別對應于該兩第二端設置，

該兩第一窄頸部分別連接該兩第一子部至該兩第一端，使該中央部介于該兩第一子部之間，且該兩第一窄頸部沿一第一方向延伸，

該兩第二窄頸部分別連接該兩第二子部至該兩第二端，使該中央部介于該兩第二子部之間，且該兩第二窄頸部沿一第二方向延伸；

第一上導體層及多個第一通孔觸點，該第一上導體層設置于該中央部上方，且該第一上導體層及該中央部之間以該些第一通孔觸點電連接；以及

第二上導體層及多個第二通孔觸點，該第二上導體層設置于該兩第一子部及該兩第二子部上方，且該第二上導體層以該些第二通孔觸點電連接至該兩第一子部與該兩第二子部。

2.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該導體材料層的材質包含金屬、金屬硅化物、多晶硅或是其組合。

3.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該第一上導體層及該第二上導體層其中之一連接至一電壓源。

4.如權利要求3所述的測試鍵結構，其中，經由該電壓源施加一預檢電壓，并對該兩第一窄頸部及該兩第二窄頸部的電阻值進行預檢測。

5.如權利要求3所述的測試鍵結構，其中，經由該電壓源施加一編程電壓，并對該兩第一窄頸部及該兩第二窄頸部的電阻值檢測，以判斷該兩第一窄頸部至少其中之一或該兩第二窄頸部至少其中之一是否已被燒斷。

6.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該第一窄頸部及該第二窄頸部的寬度相同，且該第一窄頸部及該第二窄頸部的該寬度對應于該電熔絲圖案的寬度。

7.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該兩第一窄頸部及該兩第二窄頸部的寬度小于該中央部、該兩第一子部及該兩第二子部的寬度。

8.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該第一方向垂直于該第二方向。

9.如權利要求8所述的測試鍵結構，其中，該中央部、該兩第一子部、該兩第二子部、該兩第一窄頸部及該兩第二窄頸部之間構成一十字狀排列，且該中央部位于該十字狀排列的交錯中央。

10.如權利要求1所述的測試鍵結構，其中，該導體材料層定義多個測試區域，該些測試區域排列成具有多行與多列的陣列形式，該些行沿著該第一方向，該些列沿著該第二方向。

11.如權利要求10所述的測試鍵結構，在每一該些行上的該些測試區域中，相鄰的該些測試區域共用其中一該第一子部，在每一該些列上的該些測試區域中，相鄰的該些測試區域共用其中一該第二子部。

12.如權利要求10所述的測試鍵結構，在每一該些行上的該些測試區域中，相鄰的該些測試區域的各自其中一該第一子部相連，在每一該些列上的該些測試區域中，相鄰的該些測試區域的各自其中一該第二子部相連。

13.如權利要求10所述的測試鍵結構，其中，不同行的該些測試區域中的該些第一窄頸部的寬度具有不同的尺寸。

14.如權利要求10所述的測試鍵結構，其中，不同列的該些測試區域中的該些第二窄頸部的寬度具有不同的尺寸。

15.如權利要求10所述的測試鍵結構，其中，同一行的該些測試區域中的該些第一窄頸部的寬度具有不同的尺寸。

16.如權利要求10所述的測試鍵結構，其中，同一列的該些測試區域中的該些第二窄頸部的寬度具有不同的尺寸。