[發(fā)明專利]一種測試正性光刻膠感度的方法

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• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN112378907A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 馬陽陽;張月;張東宏
• 申請（專利權）人: 陜西彩虹新材料有限公司
• 主分類號: G01N21/84
• 分類號: G01N21/84;G01N1/28
• 代理公司: 北京卓特專利代理事務所(普通合伙) 11572
• 代理人: 段宇

本發(fā)明揭示了一種測試正性光刻膠感度的方法，將正性光刻膠樣品和標準品進行涂膜、曝光及顯影后讀取硅片上的開點數(shù)，并計算可得到正性光刻膠的Eth值。包括以下步驟：S1)、在涂膜顯影機中設置不同轉速，對光刻的膠樣品以及標準品進行涂膜，并控制樣品與標準品的膜厚差在±范圍之內；S2)、將光刻的膠樣品和標準品在曝光機上同時進行曝光；S3)、曝光完成后在涂膜顯影機上顯影；S4)、讀取硅片上的開點數(shù)，計算樣品感度。整個過程耗時短，可靠性強，重復性好，實現(xiàn)了對正性光刻膠生產的工藝把控。

技術領域：

本發(fā)明涉及一種測試方法，特別涉及一種正性光刻膠感度的測試方法。

背景技術：

光刻膠是一類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，又稱光致抗蝕劑，是樹脂、感光化合物(PAC)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體，另外根據(jù)不同要求，還添加一定量的添加劑。樹脂經光照后，在曝光區(qū)域能很快地發(fā)生光化學反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化，因此在平板顯示、集成電路，半導體封裝等領域得到了廣泛的應用。光刻膠按照感光特性可以分為正性光刻膠和負性光刻膠，而現(xiàn)在的元件制程為了要求產能，通常需要較高的感光度，以縮短曝光時間，達到最大產能。正性光刻膠感度傳統(tǒng)上定義為曝光區(qū)要產生完全溶解所需入射光的能量(Dose)來表示，測量正性光刻膠感度通常所用的方法為殘膜收率法，即取曝光顯影前后膜厚比為縱軸，曝光能量為橫軸，繪制成特性曲線，以解析其感度特性的方法。這種方法需要損耗較多樣品，過程繁瑣，并且容易受其他因素干擾，存在偏差。而我們以Dose值為基礎，用標準品和樣品同時進行測試，用樣品和標準品的偏差值Eth(％)來最終反應光刻膠感度的大小。

發(fā)明內容：

本發(fā)明涉及一種測試正性光刻膠感度的方法，將正性光刻膠樣品和標準品進行涂膜、曝光及顯影后讀取硅片上的開點數(shù)，并根據(jù)計算公式可得到正性光刻膠的Eth值。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是：

一種測試正性光刻膠感度的方法，包括以下步驟：

S1)、在涂膜顯影機中設置轉速，對不同粘度的光刻膠以及標準品樣品進行涂膜，并控制樣品與標準品的膜厚差在范圍之內；

S2)、將樣品和標準品在曝光機上同時進行曝光；

S3)、曝光完成后在涂膜顯影機上顯影；

S4)、讀取硅片上的開點數(shù)，計算樣品感度。

本發(fā)明主要有益效果是：

整個過程耗時短，可靠性強，重復性好，實現(xiàn)了對正性光刻膠生產的工藝把控。

附圖說明：

圖1揭示了第一實施例中一種測試正性光刻膠感度的方法的工藝步驟圖。

具體實施方式：

本發(fā)明上述的以及其他的特征、性質和優(yōu)勢將通過下面結合附圖和實施例的描述而變的更加明顯，在附圖中相同的附圖標記始終表示相同的特征，其中：

參考圖1，圖1揭示了第一實施例中一種測試正性光刻膠感度的方法的工藝步驟圖。一種測試正性光刻膠感度的方法，包括以下步驟：

S1)、在涂膜顯影機中設置轉速，對不同粘度的光刻膠以及標準品樣品進行涂膜，并控制樣品與標準品的膜厚差在范圍之內；

S2)、將樣品和標準品在曝光機上同時進行曝光；

S3)、曝光完成后在涂膜顯影機上顯影；

S4)、讀取硅片上的開點數(shù)，計算樣品感度。

下面結合實例對本發(fā)明做進一步詳細說明

實施例一(3.2cP正性光刻膠)：