[發(fā)明專利]一種嵌入式封裝模塊化制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911085676.4
• 申請(qǐng)日: 2019-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN112786455A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉旭;葉懷宇;張衛(wèi)紅;張國旗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳第三代半導(dǎo)體研究院
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L25/16
• 代理公司: 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11226
• 代理人: 閻冬

1.一種嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，包括：

S1：將芯片和元器件壓入第一材料中，制備第一預(yù)制件，所述第一預(yù)制件包括間隔連接的至少兩個(gè)第一材料區(qū)及至少一個(gè)芯片及至少一個(gè)元器件；

S2：在每個(gè)第一材料區(qū)設(shè)置至少兩個(gè)第一通孔，在所述設(shè)置第一通孔的第一預(yù)制件上設(shè)置導(dǎo)電連接，形成第一基板；

S3：將至少一個(gè)多層板材壓入第二材料中，制備第二預(yù)制件；所述多層板材包括從上至下設(shè)置的第一金屬層、絕緣層、第二金屬層；

S4：在第二預(yù)制件上設(shè)置導(dǎo)電連接，形成第二基板；

S5：由上至下放置第二基板，第一基板，第二基板，壓合獲得嵌入式封裝器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，所述第一金屬層及第二金屬層材料為銅，所述絕緣層材料為陶瓷；所述第一材料及第二材料為半固化片或FR4材料或BT材料或EMC材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，所述芯片和元器件壓入第一材料中的方法為：

根據(jù)芯片和元器件尺寸在第一材料內(nèi)打至少一個(gè)第三通孔，將至少一個(gè)芯片和至少一個(gè)元器件嵌入第一材料，控制溫度及壓力，使第一材料與嵌入其中的芯片和元器件固化成型；

將至少一個(gè)多層板材壓入第二材料中的方法為：

根據(jù)至少一個(gè)多層板材尺寸在第二材料內(nèi)打至少一個(gè)第四通孔，將至少一個(gè)多層板材嵌入第二材料，控制溫度及壓力，使第二材料與嵌入其中的多層板材固化成型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，所述芯片和元器件壓入第一材料中的方法為：

融化第一材料，采用融化的第一材料包裹至少一個(gè)芯片和至少一個(gè)元器件，固化形成第一預(yù)制件；

將至少一個(gè)多層板材壓入第二材料中的方法為：

融化第二材料，采用融化的第一材料包裹至少多層板材，固化形成第二預(yù)制件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，制備至少一個(gè)第一通孔的方法包括：激光鉆孔、機(jī)械鉆孔、蝕刻。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，所述設(shè)置導(dǎo)電連接的方法為：在第一通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電金屬；在第一預(yù)制件的上下表面及第二預(yù)制件的上表面或下表面設(shè)置鍍層；在所述鍍層上制造預(yù)設(shè)圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，在第一通孔內(nèi)壁或第一通孔內(nèi)全部區(qū)域填充金屬銅，或在第一通孔內(nèi)設(shè)置多個(gè)與所述第一通孔尺寸相同的銅柱。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝模塊化制備方法，其特征在于，所述S5包括：將由上至下放置第二基板，至少一個(gè)第一半固化片，第一基板，至少一個(gè)第二半固化片，第二基板；壓合上述結(jié)構(gòu)，形成嵌入式封裝器件；所述第一半固化片及所述第二半固化片上根據(jù)第一基板及第二基板位置設(shè)置至少一個(gè)通孔。