[發明專利]鍍膜生產線控制方法

有效

• 申請號: 201911082246.7
• 申請日: 2019-11-07
• 公開（公告）號: CN110735123B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 祝海生;陳立;唐洪波;唐蓮;薛闖;金誠明;凌云;孫桂紅;梁紅;黃國興;黃樂
• 申請（專利權）人: 湘潭宏大真空技術股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/54;C23C14/34
• 代理公司: 湖南喬熹知識產權代理事務所(普通合伙) 43262
• 代理人: 安曼

1.一種鍍膜生產線控制方法，所述方法應用到上位機中，傳送流水線和鍍膜生產線首尾相連形成一環形流水線，上位機與傳送流水線以及鍍膜生產線相通信連接，以通過所述上位機對所述傳送流水線和所述鍍膜生產線進行控制，其特征在于，所述方法包括：

檢測進口室內是否傳入基片，當所述進口室傳入基片時，則通過真空泵將所述生產線上各個腔室抽真空至中真空范圍，并將所述基片傳送入進口緩沖室；

檢測進口緩沖室是否傳入基片，當所述進口緩沖室傳入基片時，則對所述基片進行加熱，并將所述基片傳送至進口過渡室；

檢測進口過渡室是否傳入基片，當所述進口過渡室傳入基片時，則對所述基片進行加熱，并通過真空泵和分子泵對所述進口過渡室以及所述生產線后續的預設腔室進行抽真空至高真空范圍，并將所述基片傳送至清洗室；

檢測清洗室是否傳入基片，當所述清洗室傳入基片時，則啟動等離子設備對所述基片進行清洗，并控制傳送基片的傳動輥的運行模式從間斷模式轉變為連續模式，將所述基片依次傳入至多個鍍膜工藝室，且多個鍍膜工藝室之間至少設置一個隔離室；其中，各個鍍膜工藝室根據氣氛來確定之間是否存在隔離室，且設置各個工藝室中的氣氛以及對應的靶材，在鍍膜的時，改變每一個工藝室的氣氛，控制基片的速度以使得基片經過每一個工藝室，從而每一個工藝室鍍一層膜，最后使得基片鍍了多層膜；

檢測出口過渡室是否傳入基片，當出口過渡室傳入基片時，則控制傳送基片的傳動輥的運行模式從連續模式轉變為間斷模式，并將真空范圍由高真空范圍降低至中真空后，將所述基片傳送至出口緩沖室；

檢測出口緩沖室是否傳入基片，當出口緩沖室傳入基片時，則將真空范圍由中真空范圍降低至低真空后，將所述基片傳送至出口室；

檢測出口室是否傳入基片，當出口室傳入基片時，則將真空范圍由低真空范圍降低至大氣狀態后，開啟閥門將所述基片送出所述出口室；

所述將所述基片依次傳入至多個鍍膜工藝室，包括：

實時檢測所述基片當前所在的鍍膜工藝室，并查詢與所述鍍膜工藝室對應的基片的傳輸速度；

通過所述基片的傳輸速度調整所述傳動輥的運行；

所述方法還包括：

獲取基片的當前傳輸速度，并計算在一定時間內通過的距離；

通過光電傳感器檢測在所述時間內是否通過所述距離；

若沒有通過所述距離，則輸出傳輸故障的信息，并進行報警；

所述方法還包括：

獲取預先設置的與各個腔室對應的基片加熱溫度；

實時檢測所述基片當前所在的腔室，并獲取到與所述腔室對應的基片加熱溫度；

根據所述基片加熱溫度控制加熱器對所述基片進行加熱，并通過溫度傳感器實時回傳所述基片的當前溫度；

所述方法還包括：

接收用戶輸入的針對每一個鍍膜工藝室的功率值、電壓值以及電流值的設定；

根據所述功率值、電壓值以及電流值對所述鍍膜工藝室的濺射電源以及陰極靶位進行設置；

所述方法還包括：

當所述生產線上的設備的狀態發生變化時，則查詢預先設置的安全互鎖表，所述設備包括真空泵、分子泵、各個腔室的閥門、放氣閥門、傳動電機、真空加熱設備、濺射電源；

根據所述安全互鎖表中各個設備的狀態對其他設備進行調整。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

啟動水冷裝置，通過所述水冷裝置對所述生成線上的設備進行降溫處理，并實時檢測水冷裝置中水的流量和溫度；

當水的流量低于設定流量時，則輸出報警信號；

當水的溫度高于設定溫度時，則輸出報警信號；

當存在輸出的報警信號時，則停止鍍膜工藝室中的鍍膜操作。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述啟動等離子設備對所述基片進行清洗之后，還包括：

獲取預設清洗時間，并判斷所述基片的清洗時間是否達到所述預設清洗時間；

如果沒有達到所述預設清洗時間，則繼續通過等離子設備對所述基片進行清洗；

如果達到所述預設清洗時間，則控制傳送基片的傳動輥的運行模式從間斷模式轉變為連續模式，將所述基片依次傳入至多個鍍膜工藝室。