[發明專利]一種能夠實現低壓下高讀寫穩定性的SRAM存儲單元電路有效
| 申請號： | 201911082163.8 | 申請日： | 2019-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN110808076B | 公開（公告）日： | 2023-03-14 |
| 發明（設計）人： | 賀雅娟;呂嘉洵;黃茂航;吳曉清;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G11C11/419 | 分類號： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 能夠 實現 壓下 讀寫 穩定性 sram 存儲 單元 電路 | ||
1.一種能夠實現低壓下高讀寫穩定性的SRAM存儲單元電路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；
第六NMOS管的柵極連接第五NMOS管的柵極并連接第一寫字線，其漏極連接寫位線，其源極連接第五NMOS管的漏極；
第二NMOS管的柵極連接第三寫字線，其漏極連接第五NMOS管的源極、第一PMOS管的漏極以及第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的柵極，其源極連接第一NMOS管的漏極；
第二PMOS管的柵極連接第二寫字線，其漏極連接第一PMOS管的源極，其源極連接第三PMOS管的源極并連接電源電壓；
第三NMOS管的漏極連接第三PMOS管的漏極以及第一NMOS管和第一PMOS管的柵極，其源極連接第一NMOS管的源極并接地；
第四NMOS管的漏極連接讀位線，其源極連接讀字線。
2.根據權利要求1所述的能夠實現低壓下高讀寫穩定性的SRAM存儲單元電路，其特征在于，第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的體端均接地，第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的體端均連接電源電壓。
3.根據權利要求1或2所述的能夠實現低壓下高讀寫穩定性的SRAM存儲單元電路，其特征在于，在40nm工藝下所述SRAM存儲單元電路中所有管子的尺寸均采用最小尺寸，即所述SRAM存儲單元電路中所有管子的尺寸為長40nm，寬120nm。
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