[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201911081324.1 | 申請日: | 2019-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN110783275B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 韓林宏;張毅;秦世開 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/417 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
形成襯底,所述襯底包括顯示區域、供電區域以及將所述顯示區域和所述供電區域連接的彎折區域;
在所述襯底之上形成無機層;
在所述無機層之上形成第一金屬薄膜層;將所述顯示區域之上的第一金屬薄膜層形成源漏極層;所述源漏極層與所述無機層遠離所述襯底一側的表面直接接觸;
將所述彎折區域之上的第一金屬薄膜層去除,露出所述彎折區域之上的無機層;
在所述彎折區域之上的無機層中形成凹槽;
在所述凹槽內形成平坦層;所述平坦層為有機材料;
在所述平坦層之上形成第二金屬薄膜層;
將所述彎折區域上的第二金屬薄膜層形成用于連接所述顯示區域和所述供電區域的數據信號線;所述數據信號線位于所述凹槽的中部。
2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述襯底之上形成無機層包括:
在所述襯底之上依次形成阻擋層、緩沖層、絕緣層以及層間介電層,其中,所述阻擋層、所述緩沖層、所述絕緣層以及所述層間介電層形成所述無機層。
3.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述彎折區域之上的無機層中形成凹槽包括:
通過第一次構圖工藝在所述彎折區域的無機層中形成第一凹槽;
通過第二次構圖工藝在所述第一凹槽的無機層中形成第二凹槽,所述第二凹槽的開口面積小于所述第一凹槽的開口面積。
4.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述彎折區域之上的無機層中形成凹槽包括:
通過一次構圖工藝在所述彎折區域的無機層中形成所述凹槽。
5.一種顯示基板,其特征在于,由如權利要求1-4任一項所述的顯示基板的制備方法制備而成。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求5所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





