[發明專利]半導體結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911080521.1
• 申請日: 2019-11-07
• 公開（公告）號: CN112786435A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基底，所述基底劃分為若干個芯片區域；

于所述基底上形成保護層，所述保護層覆蓋所述芯片區域；

對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個凹槽，所述凹槽的深度小于所述保護層的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個所述凹槽包括如下步驟：

將第一光罩置于所述保護層的上方，所述第一光罩對應于所述芯片區域的區域內形成有若干個第一透光區域；

基于所述第一光罩于第一曝光劑量或第一曝光能量下對所述保護層進行第一次曝光；

對曝光后的所述保護層進行顯影；顯影后所述第一次曝光的曝光區域內的所述保護層被去除的厚度小于所述保護層的厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述基底內還形成有切割道，所述切割道將所述基底劃分為若干個所述芯片區域；所述切割道內形成有測試焊盤，所述保護層覆蓋所述測試焊盤；進行第一次曝光之后且進行顯影之前還包括如下步驟：

去除所述第一光罩；將第二光罩至于所述保護層的上方，所述第二光罩對應于所述測試焊盤的區域內形成有第二透光區域；

基于所述第二光罩于第二曝光劑量或第二曝光能量下對所述保護層進行第二次曝光；所述第二曝光劑量為第二次曝光的曝光區域內的所述保護層經后續顯影后被完全去除的最小曝光劑量，所述第二曝光能量為第二次曝光的曝光區域內的所述保護層經后續顯影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光劑量大于所述第一曝光劑量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個所述凹槽包括如下步驟：

將光罩置于所述保護層的上方，所述光罩對應于所述芯片區域的區域內形成有若干個透光圖形，各所述透光圖形內均包括若干個第一透光區域；

基于所述光罩對所述保護層進行曝光；

對曝光后的所述保護層進行顯影；顯影后所述第一透光區域對應的曝光區域內的所述保護層被去除的厚度小于所述保護層的厚度。

5.根據權利要求2或4所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，若干個所述第一透光區域呈條狀間隔排布、網格狀排布或無規則排布。

6.根據權利要求4所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述基底內還形成有切割道，所述切割道將所述基底劃分為若干個所述芯片區域；所述切割道內形成有測試焊盤，所述保護層覆蓋所述測試焊盤；所述光罩對應于所述測試焊盤的區域內還形成有第二透光區域；顯影后所述第二透光區域對應的曝光區域內的所述保護層被完全去除。

7.根據權利要求3或6所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，于所述基底上形成所述保護層之前還包括于所述基底的上表面形成鈍化層的步驟；所述保護層形成于所述鈍化層的上表面；曝光之后還包括如下步驟：將所述保護層固化；刻蝕去除對應于所述測試焊盤的區域內的所述鈍化層及部分所述基底，以暴露出所述測試焊盤。

8.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個所述凹槽之后還包括于所述保護層的上表面形成塑封層的步驟；所述塑封層的厚度大于所述凹槽的深度。

9.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底劃分為若干個芯片區域；

保護層，位于所述基底上，覆蓋所述芯片區域；所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成有若干個凹槽，所述凹槽的深度小于所述保護層的厚度。

10.根據權利要求9所述的半導體結構，其特征在于，若干個所述凹槽呈條狀間隔排布、網格狀排布或無規則排布。