[發明專利]半導體結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911080521.1
• 申請日: 2019-11-07
• 公開（公告）號: CN112786435A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本發明涉及一種半導體結構及其制備方法；包括如下步驟：提供基底，基底劃分為若干個芯片區域；于基底上形成保護層，保護層覆蓋切割道及芯片區域；對保護層進行曝光顯影，以于保護層覆蓋芯片區域的區域內形成若干個凹槽，凹槽的深度小于保護層的厚度。上述半導體結構的制備方法通過在保護層覆蓋芯片區域內形成若干個凹槽，可以增加保護層的表面粗糙程度及表面積，從而提高后段封裝時保護層與塑封層的接著性。

技術領域

本申請涉及半導體器件制造技術領域，特別是涉及一種半導體結構及其制備方法。

背景技術

半導體晶圓制造時會涂布保護層(譬如，Polyimide，聚酰亞胺)于晶圓的表面，作為保護晶圓內形成的芯片的保護層，同時，保護層也可以作為后段封裝時與塑封層(Molding compound)的臨接材料。然而，現有的保護層由于采用旋涂工藝形成，保護層的上表面近乎為平整的表面，除了測試焊盤(bond pad) 的開口之外，絕大部分區域的保護層的表面皆為平坦面。而表面為近乎平整的保護層在后段封裝時與塑封層的接著性能較差，容易導致保護層與塑封層之間發生分層剝離，從而影響器件的性能。

發明內容

基于此，有必要針對現有技術中的半導體結構中晶圓表面的保護層的表面為近乎平整的表面而導致的保護層與塑封層的接著性能較差，從而導致保護層與塑封層之間容易發生分層剝離，進而影響器件的性能的問題，提供一種半導體結構及其制備方法。

為了實現上述目的，一方面，本發明提供了一種半導體結構的制備方法，包括如下步驟：

提供基底，所述基底劃分為若干個芯片區域；

于所述基底上形成保護層，所述保護層覆蓋所述切割道及所述芯片區域；

對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個凹槽，所述凹槽的深度小于所述保護層的厚度。

上述半導體結構的制備方法通過在保護層覆蓋芯片區域內形成若干個凹槽，可以增加保護層的表面粗糙程度及表面積，從而提高后段封裝時保護層與塑封層的接著性。

在其中一個實施例中，對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個所述凹槽包括如下步驟：

將第一光罩置于所述保護層的上方，所述第一光罩對應于所述芯片區域的區域內形成有若干個第一透光區域；

基于所述第一光罩于第一曝光劑量或第一曝光能量下對所述保護層進行第一次曝光；

對曝光后的所述保護層進行顯影；顯影后所述第一次曝光的曝光區域內的所述保護層被去除的厚度小于所述保護層的厚度。

在其中一個實施例中，所述基底內還形成有切割道，所述切割道將所述基底劃分為若干個所述芯片區域；所述切割道內形成有測試焊盤，所述保護層覆蓋所述測試焊盤；進行第一次曝光之后且進行顯影之前還包括如下步驟：

去除所述第一光罩；將第二光罩至于所述保護層的上方，所述第二光罩對應于所述測試焊盤的區域內形成有第二透光區域；

基于所述第二光罩于第二曝光劑量或第二曝光能量下對所述保護層進行第二次曝光；所述第二曝光劑量為第二次曝光的曝光區域內的保護層經后續顯影后被完全去除的最小曝光劑量，所述第二曝光能量為第二次曝光的曝光區域內的保護層經后續顯影后被完全去除的最小曝光能量；所述第二曝光劑量大于所述第一曝光劑量，所述第二曝光能量大于所述第一曝光能量。

在其中一個實施例中，對所述保護層進行曝光顯影，以于所述保護層覆蓋所述芯片區域的區域內形成若干個所述凹槽包括如下步驟：

將光罩置于所述保護層的上方，所述光罩對應于所述芯片區域的區域內形成有若干個透光圖形，各所述透光圖形內均包括若干個第一透光區域；

基于所述光罩對所述保護層進行曝光；