[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911077948.6 | 申請日： | 2019-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN111223875A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何昆鵬;任章淳 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 張曉薇 |
| 地址： | 518132 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，包括：
有源層；
絕緣層，設于所述有源層上；
源極、漏極以及柵極，同層設于所述絕緣層上，所述柵極對應于所述有源層，所述源極、漏極分別穿過所述絕緣層連接至所述有源層的兩端；
像素電極，設于所述源極、漏極和柵極遠離所述絕緣層的一表面上。
2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括：
像素限定層，覆于所述像素電極和所述絕緣層上，其具有開口，所述像素電極部分裸露于所述開口中；
發(fā)光層，設于所述開口內的所述像素電極上。
3.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，還包括：
封裝層，覆于所述發(fā)光層和所述像素限定層上。
4.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括：
緩沖層，設于所述有源層遠離所述絕緣層的一表面上；
基板，設于所述緩沖層遠離所述有源層的一表面上；
遮光層，設于所述緩沖層和所述基板之間，并對應于所述有源層。
5.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一基板；
在所述基板上形成有源層；
在所述有源層上形成所述絕緣層；
在所述緩沖層上形成源極、漏極、柵極以及像素電極。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述像素電極和所述絕緣層上形成像素限定層；
在所述像素限定層內形成開口；
在所述開口內形成發(fā)光層。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成封裝層。
8.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在提供一基板步驟后還包括一下步驟：
在所述基板上形成遮光層；
在所述遮光層上形成緩沖層。
9.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述緩沖層上形成源極、漏極、柵極以及像素電極步驟中包括以下步驟：
在所述絕緣層上沉積一金屬材料層；
在所述金屬材料層上沉積一導電材料層；
通過光刻法同時將所述金屬材料層和所述導電材料層圖案化，形成所述源極、漏極、柵極以及像素電極。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-4中任意一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
