[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911077948.6 | 申請日: | 2019-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN111223875A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 何昆鵬;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。所述顯示面板包括有源層、絕緣層、源極、漏極、柵極以及像素電極。所述源極、漏極和柵極同層設于所述絕緣層上,所述像素電極設于所述源極、漏極和柵極遠離所述絕緣層的一表面上。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示設備領域,特別是一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
OELD(Organic Electroluminesence Display,有機電致發(fā)光顯示),又稱為OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機電致發(fā)光二極管)顯示裝置,其具有能耗低、亮度高、反應時間快、寬視角、重量輕等優(yōu)點,近來已普遍應用于各種顯示設備中。
由于OLED在顯示的色域、色深、對比度和響應速度等方面都優(yōu)于LCD(LiquidCrystal Display,液晶顯示器),而且最近已經(jīng)有公司使用蒸鍍WOLED(White OLED,白光OLED)技術量產了大尺寸屏幕,但是由于OLED制作工藝較LCD要復雜很多,OLED膜層更多,良品率提升難度較大,要將這些膜層的圖形化也需要更多的光罩。
在現(xiàn)有技術中的頂柵頂發(fā)射OLED顯示面板中,其通常需要10道左右的光罩才能從基板制作到PDL(Pixel Definition Layer,像素限定層),不僅制作難度極大,而且每一道光罩制程的成本價格都非常昂貴,所以OLED顯示器的制作成本居高不下。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,也解決現(xiàn)有技術中頂柵頂發(fā)射結構的顯示面板結構復雜、制程繁瑣、成本高昂、良品率低等問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種顯示面板,所述顯示面板包括有源層、絕緣層、源極、漏極、柵極以及像素電極。其中,所述絕緣層設于所述有源層上。所述源極、漏極和柵極同層設于所述絕緣層上,所述柵極對應于所述有源層,所述源極、漏極分別穿過所述絕緣層連接至所述有源層的兩端。所述像素電極設于所述源極、漏極和柵極遠離所述絕緣層的一表面上。
進一步地,所述顯示面板中還包括像素限定層以及發(fā)光層。所述像素限定層覆于所述像素電極和所述絕緣層上。所述像素限定層中具有開口,所述像素電極部分裸露于所述開口中。所述發(fā)光層設于所述開口內的所述像素電極上。
進一步地,所述顯示面板中還包括封裝層,其覆于所述發(fā)光層和所述像素限定層上。
進一步地,所述顯示面板中還包括緩沖層、基板以及遮光層。所述緩沖層設于所述有源層遠離所述絕緣層的一表面上。所述基板設于所述緩沖層遠離所述有源層的一表面上。所述遮光層設于所述緩沖層和所述基板之間,并對應于所述有源層。
本發(fā)明中還提供一種顯示面板的制備方法,其包括以下步驟:提供一基板。在所述基板上形成有源層。在所述有源層上形成所述絕緣層。在所述緩沖層上形成源極、漏極、柵極以及像素電極。
進一步地,在所述顯示面板的制備方法中還包括以下步驟:在所述像素電極和所述絕緣層上形成像素限定層。在所述像素限定層內形成開口。在所述開口內形成發(fā)光層。
進一步地,在所述顯示面板的制備方法中還包括以下步驟:
在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成封裝層。
進一步地,在提供一基板步驟后還包括一下步驟:在所述基板上形成遮光層。在所述遮光層上形成緩沖層。
進一步地,在所述緩沖層上形成源極、漏極、柵極以及像素電極步驟中包括以下步驟:在所述絕緣層上沉積一金屬材料層。在所述金屬材料層上沉積一導電材料層。通過光刻法同時將所述金屬材料層和所述導電材料層圖案化,形成所述源極、漏極、柵極以及像素電極。
本發(fā)明中還提供一種顯示裝置,其包括如上所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





