[發明專利]適用于太陽能晶硅片的硅錠及其制備方法、太陽能電池片及其制備方法

有效

• 申請號: 201911075910.5
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN110791807B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 范維濤;沈鴻烈;趙雷;蘇楊楊;黃鈞林
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學;維科誠（蘇州）光伏科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;B28D5/00;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 汪青

1.一種適用于太陽能晶硅片的硅錠，所述硅錠至少能夠用于切割形成兩個太陽能晶硅片，其特征在于，所述硅錠包括硅錠本體以及開設在所述硅錠本體側面上的穿槽和/或開設在所述硅錠本體內部的穿孔，所述穿槽和穿孔呈直線延伸；

所述穿槽和穿孔通過如下方法開設得到：利用激光和水對硅錠本體進行交替切割使硅錠本體沿著切割路徑斷開以形成所述的穿槽或穿孔，其中起始時利用激光進行切割并確保在該激光切割后硅錠本體不斷開。

2.根據權利要求1所述的適用于太陽能晶硅片的硅錠，其特征在于：所述穿槽和/或穿孔貫穿所述硅錠本體的長度方向。

3.根據權利要求1所述的適用于太陽能晶硅片的硅錠，其特征在于：所述硅錠本體上開設有多個穿槽和/或穿孔，相鄰所述穿槽之間的距離相同，相鄰所述穿孔之間的距離相同。

4.根據權利要求1所述的適用于太陽能晶硅片的硅錠，其特征在于：所述穿槽開設在所述硅錠本體其中兩個相對的側面上；側面上兩個相對的穿槽之間形成與硅錠長度方向平行的豎直面，所述穿孔位于豎直面內。

5.一種如權利要求1所述的硅錠的制作方法，其特征在于，所述制作方法利用激光和水對硅錠本體進行交替切割使硅錠本體沿著切割路徑斷開以形成所述的穿槽或穿孔，其中起始時利用激光進行切割并確保在該激光切割后硅錠本體不斷開，所述激光的發射方向、水的噴射方向與所述硅錠本體的長度方向保持一致。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述交替切割的次數為1次、2次、3次或更多次，在最后一次交替切割的水切作用下，硅錠本體沿著切割路徑完全斷開形成所述的穿槽或穿孔。

7.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于：在每一次的交替切割中，激光切割的路徑和水切割的路徑保持一致；激光切割后的1-2s之內進行水切割。

8.根據權利要求6至7中任一項權利要求所述的制作方法，其特征在于，所述激光切割的參數如下：激光功率為15-20W，激光頻率為500-600kHz，激光運行速度為18000-22000cm/min；所述激光切割的時間為1-2s；水切割的參數如下：常溫下采用去離子水進行切割，去離子水在切割時的噴射初速度為15000-20000cm/min；所述水切割的時間為1-2s。

9.一種太陽能電池片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將權利要求1-4任意一項中所述的硅錠進行切割后得到太陽能晶硅片，所述太陽能晶硅片制備形成所述太陽能電池片，所述太陽能電池片上具有柵線以及沿太陽能電池片厚度方向貫通的貫通槽，切割所述硅錠的方向垂直于所述穿槽或穿孔的延伸方向，所述貫通槽由穿槽或穿孔被切割后形成，相鄰所述穿槽之間的距離、相鄰所述穿孔之間的距離對應相鄰所述柵線之間的距離。

10.一種如權利要求9所述的制備方法制備得到的太陽能電池片。