[發明專利]包括通孔的集成電路器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201911074999.3
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111146180A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 金永培;哈索諾·西姆卡;李鐘弦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

提供了集成電路器件及其形成方法。形成集成電路器件的方法可以包括：在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層，并在第一絕緣層上選擇性地形成第二絕緣層。第一絕緣層可以包括凹部，且第一導電層可以在第一絕緣層的凹部中。第二絕緣層可以包括暴露第一導電層的表面的第一開口。該方法還可以包括：在第二絕緣層和第一導電層上形成第三絕緣層；形成延伸穿過第三絕緣層并暴露第一導電層的第二開口；以及在第二開口中形成第二導電層。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年11月6日在USPTO提交的美國臨時申請序列號62/756,246以及2019年8月2日在USPTO提交的美國非臨時申請序列號16/530,075的優先權，上述申請的公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開涉及電子領域，更具體地，涉及半導體器件。

背景技術

自對準通孔(SAV)結構已經被引入以通過提供具有高蝕刻選擇性的層來增強通孔和相鄰的導電層之間的電隔離。然而，在高密度集成電路器件中，SAV結構可能無法有效地在通孔和相鄰的導電層之間提供電隔離。

發明內容

根據本發明構思的一些實施例，形成集成電路器件的方法可以包括：在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層，并在第一絕緣層上選擇性地形成第二絕緣層。第一絕緣層可以包括凹部，且第一導電層可以在第一絕緣層的凹部中。第二絕緣層可以包括暴露第一導電層的表面的第一開口。該方法還可以包括：在第二絕緣層和第一導電層上形成第三絕緣層；形成延伸穿過第三絕緣層并暴露第一導電層的第二開口；以及在第二開口中形成第二導電層。

根據本發明構思的一些實施例，形成集成電路器件的方法可以包括在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層，以及在第一導電層上形成阻擋層。第一絕緣層可以包括凹部，且第一導電層可以在第一絕緣層的凹部中。阻擋層可以暴露第一絕緣層的表面。該方法還可以包括：在第一絕緣層上形成第二絕緣層，并且第二絕緣層可以暴露阻擋層的表面。該方法還可以包括：移除阻擋層以在第二絕緣層中形成開口；在移除阻擋層之后在第二絕緣層和第一導電層上形成第三絕緣層；以及形成延伸穿過第三絕緣層的第二導電層。第二導電層可以接觸第一導電層。

根據本發明構思的一些實施例，形成集成電路器件的方法可以包括在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層。第一絕緣層可以包括凹部，第一導電層可以在第一絕緣層的凹部中，并且第一絕緣層可以暴露第一導電層的上表面。該方法還可以包括移除第一導電層的上部，并且在第一絕緣層上選擇性地形成第二絕緣層。第二絕緣層可以暴露第一導電層的在移除第一導電層的上部之后保留的表面。該方法還可以包括在第二絕緣層和第一導電層上形成第三絕緣層；并且形成延伸穿過第三絕緣層以接觸第一導電層的第二導電層。

附圖說明

圖1是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的流程圖。

圖2至圖9是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的橫截面圖。

圖10和圖11是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的橫截面圖。

圖12是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的流程圖。

圖13至圖14是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的橫截面圖。

具體實施方式

圖1是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的流程圖。圖2至圖9是示出了根據本發明構思的一些實施例的形成集成電路器件的方法的橫截面圖。