[發明專利]包括通孔的集成電路器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201911074999.3
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111146180A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 金永培;哈索諾·西姆卡;李鐘弦
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯

1.一種形成集成電路器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層，所述第一絕緣層包括凹部，并且所述第一導電層在所述第一絕緣層的所述凹部中；

在所述第一絕緣層上選擇性地形成第二絕緣層，所述第二絕緣層包括暴露所述第一導電層的表面的第一開口；

在所述第二絕緣層和所述第一導電層上形成第三絕緣層；

形成延伸穿過所述第三絕緣層并暴露所述第一導電層的第二開口；以及

在所述第二開口中形成第二導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述第三絕緣層之前移除所述第一導電層的上部。

3.根據權利要求2所述的方法，其中在選擇性地形成所述第二絕緣層之前，執行移除所述第一導電層的所述上部。

4.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一導電層包括：形成擴散屏障層和第一核心導電層；以及

其中所述方法還包括：在形成所述第三絕緣層之前移除所述擴散屏障層的上部。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在選擇性地形成所述第二絕緣層之前，執行移除所述擴散屏障層的所述上部，以及

其中選擇性地形成第二絕緣層包括：在從中移除所述擴散屏障層的所述上部的空間中形成所述第二絕緣層的一部分。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述第三絕緣層之前，在所述第二絕緣層上形成蝕刻停止層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二導電層接觸所述第一導電層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述襯底的上表面比所述第二絕緣層的最上端更靠近所述第二導電層的最下端。

9.一種形成集成電路器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一絕緣層和第一導電層，所述第一絕緣層包括凹部，并且所述第一導電層在所述第一絕緣層的所述凹部中；

在所述第一導電層上形成阻擋層，所述阻擋層暴露所述第一絕緣層的表面；

在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層暴露所述阻擋層的表面；

移除所述阻擋層以在所述第二絕緣層中形成開口；

在移除所述阻擋層之后，在所述第二絕緣層和所述第一導電層上形成第三絕緣層；以及

形成延伸穿過所述第三絕緣層的第二導電層，所述第二導電層接觸所述第一導電層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述阻擋層接觸所述第一導電層的整個上表面。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一絕緣層包括所述第二絕緣層所包括的材料。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括：在形成所述第三絕緣層之前移除所述第一導電層的上部。

13.根據權利要求12所述的方法，其中在形成所述阻擋層之前，執行移除所述第一導電層的所述上部。

14.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述第一導電層包括：形成擴散屏障層和第一核心導電層；以及

其中所述方法還包括：在形成所述第三絕緣層之前移除所述擴散屏障層的上部。

15.根據權利要求14所述的方法，其中在形成所述阻擋層之前，執行移除所述擴散屏障層的所述上部，以及

其中形成第二絕緣層包括：在從中移除所述擴散屏障層的所述上部的空間中形成所述第二絕緣層的一部分。

16.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一導電層包括Cu、Co、Ru、Mo、Mn和/或Nb。