[發(fā)明專(zhuān)利]開(kāi)口的側(cè)壁上的粗糙度的減小

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911072557.5
• 申請(qǐng)日: 2019-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111489967B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·J·甘比;D·D·施里拉姆;I·V·瓦西里耶沃
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311;H10B12/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明描述與減小開(kāi)口的側(cè)壁上的粗糙度相關(guān)的方法、設(shè)備及系統(tǒng)。一種實(shí)例方法包含在第一硅酸鹽材料中的開(kāi)口的第一側(cè)壁及上覆第二硅酸鹽材料中的所述開(kāi)口的第二側(cè)壁上形成襯里材料，其中所述襯里材料經(jīng)形成到覆蓋所述第一側(cè)壁上的延伸到所述開(kāi)口中的粗糙度的厚度。所述實(shí)例方法進(jìn)一步包含利用非選擇性蝕刻化學(xué)物質(zhì)從所述開(kāi)口的所述第一側(cè)壁及所述開(kāi)口的所述第二側(cè)壁移除所述襯里材料以減小所述第一側(cè)壁上的所述粗糙度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及半導(dǎo)體裝置及方法，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及開(kāi)口的側(cè)壁上的粗糙度的減小。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置通常提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器，包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)及快閃存儲(chǔ)器等等。一些類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置可為非易失性存儲(chǔ)器(例如，ReRAM)且可用于需要高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低電力消耗的廣泛電子應(yīng)用。與在缺乏電力的情況下保持其存儲(chǔ)狀態(tài)的非易失性存儲(chǔ)器單元(例如，快閃存儲(chǔ)器單元)相比，易失性存儲(chǔ)器單元(例如，DRAM單元)需要電力來(lái)保持其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，經(jīng)由刷新過(guò)程)。然而，各種易失性存儲(chǔ)器單元(例如DRAM單元)可比各種非易失性存儲(chǔ)器單元(例如快閃存儲(chǔ)器單元)更快地操作(例如，編程、讀取、擦除等)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)案的一個(gè)實(shí)施例提供一種方法，其包括：在第一硅酸鹽材料(103)中的開(kāi)口(119)的第一側(cè)壁(113)及上覆第二硅酸鹽材料(106)中的所述開(kāi)口的第二側(cè)壁(117)上形成襯里材料(221)，其中所述襯里材料經(jīng)形成到覆蓋所述第一側(cè)壁上的延伸到所述開(kāi)口中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非選擇性蝕刻化學(xué)物質(zhì)從所述開(kāi)口(119)的所述第一側(cè)壁(113)及所述開(kāi)口(119)的所述第二側(cè)壁(117)移除所述襯里材料(221)以減小所述第一側(cè)壁(113)上的所述粗糙度(214)。

本申請(qǐng)案的另一實(shí)施例提供一種方法，其包括：在與下伏材料(101)相鄰的第一硅酸鹽材料(103)中的開(kāi)口(119)的第一側(cè)壁(113)及上覆第二硅酸鹽材料(106)中的所述開(kāi)口的第二側(cè)壁(117)上沉積襯里材料(221)到覆蓋所述第一側(cè)壁上的延伸到所述開(kāi)口中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非選擇性蝕刻化學(xué)物質(zhì)蝕刻所述襯里材料(221)及所述第一側(cè)壁(113)上的所述粗糙度(214)，直到從所述開(kāi)口(119)的所述第一側(cè)壁(113)及所述第二側(cè)壁(117)移除所述襯里材料，以減小(334)所述第一側(cè)壁上的所述粗糙度(214)。

本申請(qǐng)案的又一實(shí)施例提供一種方法，其包括：在第一硅酸鹽材料(103)上方沉積第二硅酸鹽材料(106)以形成延伸穿過(guò)所述第二硅酸鹽材料的開(kāi)口(119)的第二部分(116)；經(jīng)由所述開(kāi)口(119)的所述第二部分(116)將所述開(kāi)口的第一部分(112)蝕刻到所述第一硅酸鹽材料(103)中；在所述第一硅酸鹽材料(103)中的所述開(kāi)口(119)的所述第一部分(112)的第一側(cè)壁(113)及所述第二硅酸鹽材料(106)中的所述開(kāi)口的所述第二部分(116)的第二側(cè)壁(117)上沉積非共形襯里材料(221)到覆蓋所述第一側(cè)壁上的延伸到所述開(kāi)口的所述第一部分中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非選擇性蝕刻化學(xué)物質(zhì)蝕刻所述開(kāi)口(119)的所述第一部分及所述第二部分(112、116)的所述側(cè)壁(113、117)上的所述襯里材料(221)，直到從所述側(cè)壁移除所述襯里材料且減小(334)所述開(kāi)口的所述第一部分上的所述粗糙度(214)。

本申請(qǐng)案的又一實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器裝置的部分，所述存儲(chǔ)器裝置是通過(guò)本申請(qǐng)案的方法形成，其中：所述存儲(chǔ)器裝置包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包含：至少一個(gè)電容器，其作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，所述至少一個(gè)電容器由所述電容器支撐結(jié)構(gòu)支撐；及至少一個(gè)存取裝置，其經(jīng)耦合到所述至少一個(gè)電容器。

附圖說(shuō)明