[發明專利]開口的側壁上的粗糙度的減小

有效

• 申請號: 201911072557.5
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111489967B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: C·J·甘比;D·D·施里拉姆;I·V·瓦西里耶沃
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H10B12/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于開口的側壁上的粗糙度的減小的方法，其包括：

在襯底材料上形成第一硅酸鹽材料；

在所述第一硅酸鹽材料上形成上覆第二硅酸鹽材料，其中所述第一硅酸鹽材料與所述第二硅酸鹽材料不同；

形成穿過所述第一硅酸鹽材料和所述第二硅酸鹽材料的開口以與形成在所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的寬度相符，其中形成所述開口包括使用具有選擇性的選擇性蝕刻工藝，所述選擇性蝕刻工藝用于移除在所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的第一側壁的暴露表面上形成所述第一硅酸鹽材料的化合物，且其中所述開口延伸穿過所述上覆第二硅酸鹽材料并穿過所述第一硅酸鹽材料；

在所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的所述第一側壁上以及所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的第二側壁上形成由與所述第一硅酸鹽材料相同的材料組成的襯里材料，其中所述襯里材料經形成到覆蓋所述第一側壁上的延伸到所述開口中的粗糙度的厚度，并且延伸到所述開口的所述粗糙度由所述選擇性蝕刻工藝導致；以及

利用具有對所述襯里材料與對所述粗糙度具有相同的蝕刻速率的非選擇性蝕刻化學物質，從所述開口的所述第一側壁以及所述開口的所述第二側壁移除所述襯里材料的部分，以移除由所述選擇性蝕刻工藝導致的所述第一側壁上的所述粗糙度。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

以延伸穿過所述上覆第二硅酸鹽材料且到所述第一硅酸鹽材料中的基本上圓柱形的配置形成所述開口；及

在形成所述襯里材料之前，移除所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的錐形以符合先前形成在所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的直徑；

其中所述粗糙度起因于對移除形成所述第一硅酸鹽材料的多種化學化合物中的化學化合物的所述選擇性。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括基于所述粗糙度延伸到所述開口中的距離的確定，確定形成在所述開口的所述第一側壁及所述第二側壁上以覆蓋所述粗糙度的所述襯里材料的所述厚度。

4.一種用于開口的側壁上的粗糙度的減小的方法，其包括：

在襯底材料上形成第一硅酸鹽材料；

在所述第一硅酸鹽材料上形成上覆第二硅酸鹽材料，其中所述第一硅酸鹽材料與所述第二硅酸鹽材料不同；

形成穿過所述第一硅酸鹽材料和所述第二硅酸鹽材料的開口以與形成在所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的寬度相符，其中形成所述開口包括使用具有選擇性的選擇性蝕刻工藝，所述選擇性蝕刻工藝用于移除在所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的第一側壁的暴露表面上形成所述第一硅酸鹽材料的化合物，且其中所述開口延伸穿過所述上覆第二硅酸鹽材料并穿過所述第一硅酸鹽材料；

在與所述襯底材料相鄰的所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的所述第一側壁上以及所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的第二側壁上沉積由與所述第一硅酸鹽材料相同的材料組成的襯里材料到覆蓋所述第一側壁上的延伸到所述開口中的粗糙度的厚度，并且延伸到所述開口的所述粗糙度由所述選擇性蝕刻工藝導致；以及

利用具有對所述襯里材料與對所述粗糙度相同的蝕刻速率的非選擇性蝕刻化學物質，蝕刻所述襯里材料的部分及所述第一側壁上的所述粗糙度，直到從所述開口的所述第一側壁及所述第二側壁移除所述襯里材料的部分，且移除由所述選擇性蝕刻工藝導致的所述第一側壁上的所述粗糙度。

5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包括：

以延伸穿過所述上覆第二硅酸鹽材料且到所述第一硅酸鹽材料中的基本上圓柱形的配置形成所述開口；及

在沉積所述襯里材料之前，蝕刻所述第一硅酸鹽材料中的所述開口的錐形，所述錐形具有朝向所述襯底材料減小的直徑，以符合形成在所述上覆第二硅酸鹽材料中的所述開口的直徑；

其中所述粗糙度起因于對形成所述第一硅酸鹽材料的多種化學化合物中的化學化合物的蝕刻選擇性。