[發(fā)明專利]氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911071736.7
• 申請(qǐng)日: 2019-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN112768427A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫錦添;鄒艷波;盛健健;姚衛(wèi)剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

本發(fā)明公開了一種氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，待封裝氮化鎵HEMT芯片的柵極位于源極和漏極之間，設(shè)置第二導(dǎo)電焊盤、第三導(dǎo)電焊盤以及基盤引腳區(qū)位于芯片靠近源極的一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤位于芯片靠近漏極的另一側(cè)，通過(guò)第一電連接部件電連接漏極和第一導(dǎo)電焊盤，通過(guò)第二電連接部件電連接源極和基盤引腳區(qū)，通過(guò)第四電連接部件電連接源極和第二導(dǎo)電焊盤，通過(guò)第三電連接部件電連接?xùn)艠O與第三導(dǎo)電焊盤，可以使得芯片各電極之間滿足耐壓距離；通過(guò)第四電連接部件電連接源極和第二導(dǎo)電焊盤，形成開爾文源極，以減小驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感；待封裝氮化鎵HEMT芯片固定且電連接在散熱區(qū)，提高了封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，涉及一種氮化鎵HEMT(高電子遷移率晶體管)的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)

作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)具有許多硅材料不具備的優(yōu)異性能，是高頻、高壓和大功率應(yīng)用的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，在民用和軍事領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

盡管寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵較硅材料在性能上具有很大的優(yōu)勢(shì)，但是目前傳統(tǒng)功率器件封裝技術(shù)都是基于傳統(tǒng)硅材料功率器件設(shè)計(jì)的，利用傳統(tǒng)封裝技術(shù)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵制備的半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝時(shí)，會(huì)影響半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，提高了氮化鎵HEMT封裝結(jié)構(gòu)的性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

待封裝氮化鎵HEMT芯片，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的正面具有柵極、源極以及漏極；所述柵極位于所述源極以及所述漏極之間；

導(dǎo)電基盤，所述導(dǎo)電基盤具有用于固定所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)；

引線框架，所述引線框架上設(shè)置有第一導(dǎo)電焊盤、第二導(dǎo)電焊盤以及第三導(dǎo)電焊盤；所述導(dǎo)電基盤與所述引線框架相對(duì)固定；

其中，所述第一導(dǎo)電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述漏極的一側(cè)，所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述源極的一側(cè)；所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面與所述散熱區(qū)固定且電連接；所述漏極通過(guò)第一電連接部件與所述第一導(dǎo)電焊盤電連接，所述源極通過(guò)第二電連接部件與所述基盤引腳區(qū)電連接，所述柵極通過(guò)第三電連接部件與所述第三導(dǎo)電焊盤電連接，且所述源極還通過(guò)第四電連接部件與所述第二導(dǎo)電焊盤電連接。

優(yōu)選的，在上述封裝結(jié)構(gòu)中，所述基盤引腳區(qū)、所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)以及和所述焊接區(qū)一體的引腳；

其中，所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤的所述焊接區(qū)和所述引腳連接處均具有彎折部，使得所述焊接區(qū)高于所述引腳。

優(yōu)選的，在上述封裝結(jié)構(gòu)中，所述第一導(dǎo)電焊盤通過(guò)至少一根所述第一電連接部件與所述漏極電連接；

所述第一導(dǎo)電焊盤包括：漏極焊接區(qū)以及和所述漏極焊接區(qū)一體的至少一個(gè)漏極引腳；

其中，所述漏極焊接區(qū)通過(guò)所述第一電連接部件與所述漏極電連接。

優(yōu)選的，在上述封裝結(jié)構(gòu)中，所述基盤引腳區(qū)通過(guò)至少一根所述第二電連接部件與所述源極電連接，所述第二導(dǎo)電焊盤通過(guò)一根所述第四電連接部件與所述源極電連接；

所述基盤引腳區(qū)包括：源極焊接區(qū)以及和所述源極焊接區(qū)一體的至少一個(gè)源極引腳；其中，所述源極焊接區(qū)通過(guò)所述第二電連接部件與所述源極電連接；

所述第二導(dǎo)電焊盤包括：開爾文源極焊接區(qū)和一個(gè)開爾文源極；其中，所述開爾文源極焊接區(qū)通過(guò)所述第四電連接部件與所述源極電連接。