[發(fā)明專利]氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911071736.7
• 申請(qǐng)日: 2019-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112768427A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫錦添;鄒艷波;盛健健;姚衛(wèi)剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

1.一種氮化鎵HEMT的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

待封裝氮化鎵HEMT芯片，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的正面具有柵極、源極以及漏極；所述柵極位于所述源極以及所述漏極之間；

導(dǎo)電基盤，所述導(dǎo)電基盤具有用于固定所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)；

引線框架，所述引線框架上設(shè)置有第一導(dǎo)電焊盤、第二導(dǎo)電焊盤以及第三導(dǎo)電焊盤；所述導(dǎo)電基盤與所述引線框架相對(duì)固定；

其中，所述第一導(dǎo)電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述漏極的一側(cè)，所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤位于所述待封裝氮化鎵HEMT芯片具有所述源極的一側(cè)；所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面與所述散熱區(qū)固定且電連接；所述漏極通過(guò)第一電連接部件與所述第一導(dǎo)電焊盤電連接，所述源極通過(guò)第二電連接部件與所述基盤引腳區(qū)電連接，所述柵極通過(guò)第三電連接部件與所述第三導(dǎo)電焊盤電連接，且所述源極還通過(guò)第四電連接部件與所述第二導(dǎo)電焊盤電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基盤引腳區(qū)、所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)以及和所述焊接區(qū)一體的引腳；

其中，所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第二導(dǎo)電焊盤以及所述第三導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)和所述引腳連接處均具有彎折部，使得所述焊接區(qū)高于所述引腳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電焊盤通過(guò)至少一根所述第一電連接部件與所述漏極電連接；

所述第一導(dǎo)電焊盤包括：漏極焊接區(qū)以及和所述漏極焊接區(qū)一體的至少一個(gè)漏極引腳；

其中，所述漏極焊接區(qū)通過(guò)所述第一電連接部件與所述漏極電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基盤引腳區(qū)通過(guò)至少一根所述第二電連接部件與所述源極電連接，所述第二導(dǎo)電焊盤通過(guò)一根所述第四電連接部件與所述源極電連接；

所述基盤引腳區(qū)包括：源極焊接區(qū)以及和所述源極焊接區(qū)一體的至少一個(gè)源極引腳；其中，所述源極焊接區(qū)通過(guò)所述第二電連接部件與所述源極電連接；

所述第二導(dǎo)電焊盤包括：開(kāi)爾文源極焊接區(qū)和一個(gè)開(kāi)爾文源極；其中，所述開(kāi)爾文源極焊接區(qū)通過(guò)所述第四電連接部件與所述源極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三導(dǎo)電焊盤通過(guò)一根所述第三電連接部件與所述柵極電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三導(dǎo)電焊盤包括：柵極焊接區(qū)和一個(gè)柵極引腳；

其中，所述柵極焊接區(qū)通過(guò)所述第三電連接部件與所述柵極電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待封裝氮化鎵HEMT芯片的背面通過(guò)軟焊料與所述散熱區(qū)固定。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：對(duì)所述待封裝氮化鎵HEMT芯片進(jìn)行密封保護(hù)的封裝層，所述封裝層覆蓋所述待封裝氮化鎵HEMT芯片以及各電連接部件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝層為環(huán)氧樹(shù)脂層。