[發明專利]板狀物加工方法有效
| 申請號: | 201911068976.1 | 申請日: | 2019-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN111180390B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 淀良彰;木內逸人 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板狀物 加工 方法 | ||
提供板狀物加工方法,即使在一邊對晶片或CSP基板等板狀物的正面進行保護一邊進行分割的情況下,也不會使生產效率劣化。該板狀物加工方法至少包含如下的工序:支承部件配設工序,在被加工物(10)的背面(10b)上配設支承部件;片配設工序,在該支承部件配設工序之前或之后,在被加工物的正面(10a)上敷設熱壓接片(20)并進行加熱而進行熱壓接;分割工序,將分割單元定位于要分割的區域而將被加工物與熱壓接片一起分割成各個芯片;一體化工序,對與各個芯片對應地被分割的熱壓接片(20)進行加熱,使該熱壓接片熔融,將在分割工序中被分割的熱壓接片(20)連結而進行一體化;以及剝離工序,將一體化的熱壓接片(20)從被加工物(10)剝離。
技術領域
本發明涉及板狀物加工方法,將板狀的被加工物分割成各個芯片。
背景技術
由分割預定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個器件的板狀的晶片、或者由分割預定線劃分而在正面上形成有CSP(Chip?Size?Package:芯片尺寸封裝)的CSP基板通過具有切削刀具的切割裝置、激光加工裝置等分割成各個芯片,并被用于移動電話、個人計算機等電子設備。
當通過切割裝置沿著晶片或CSP基板的分割預定線進行切削時,切削屑附著在晶片或CSP基板的正面上而污染器件或CSP。同樣地,當通過激光加工裝置對晶片或CSP基板的分割預定線照射激光光線而實施燒蝕加工時,碎屑飛散而污染器件或CSP。為了保護器件的正面免受這些污染,提出了在晶片或CSP基板的正面上粘貼保護帶來保護器件的正面免受切削屑、碎屑的污染(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2007-134390號公報
如上所述,在實施切割裝置或激光加工裝置的加工時,在晶片或CSP基板的正面上配設保護帶,對保護帶以及晶片或CSP基板實施分割加工,從而能夠保護器件或CSP免受切削屑、碎屑的污染。但是,當在晶片或CSP基板的正面上粘貼有保護帶的狀態下分割成各個芯片時,粘貼在正面上的保護帶也會按照每個芯片被單片化,在實施了分割加工之后,必須從各個芯片的正面一個一個地剝離單片化的保護帶,作業極其困難,生產效率顯著降低。
發明內容
本發明是鑒于上述事實而完成的,其主要的技術課題在于提供板狀物加工方法,即使在一邊對晶片或CSP基板等板狀物的正面進行保護一邊進行分割的情況下,也不會使生產效率劣化。
為了解決上述主要的技術課題,根據本發明,提供板狀物加工方法,將板狀的被加工物分割成各個芯片,其中,該板狀物加工方法至少包含如下的工序:支承部件配設工序,在被加工物的背面上配設支承部件;片配設工序,在該支承部件配設工序之前或之后,在被加工物的正面上敷設熱壓接片并進行加熱從而進行熱壓接;分割工序,將分割單元定位于要分割的區域而將被加工物與該熱壓接片一起分割成各個芯片;一體化工序,對與各個芯片對應地被分割的熱壓接片進行加熱,使該熱壓接片熔融,將在分割工序中被分割的熱壓接片連結而進行一體化;以及剝離工序,將一體化的熱壓接片從被加工物剝離。
該分割單元是切削單元或激光光線照射單元中的任意單元,該切削單元以能夠旋轉的方式具有在外周具有切刃的切削刀具,該激光光線照射單元照射激光光線而對板狀物實施燒蝕加工。另外,被加工物可以是由分割預定線劃分而在正面上形成有多個器件的晶片。
優選該熱壓接片從聚烯烴系片或聚酯系片中進行選擇。
該聚烯烴系片可以選自聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。優選在該片配設工序中,在從聚烯烴系片中選擇的熱壓接片為聚乙烯片的情況下,加熱溫度為120℃~140℃,在從聚烯烴系片中選擇的熱壓接片為聚丙烯片的情況下,加熱溫度為160℃~180℃,在從聚烯烴系片中選擇的熱壓接片為聚苯乙烯片的情況下,加熱溫度為220℃~240℃,在該一體化工序中,在該熱壓接片為聚乙烯片的情況下,加熱溫度為160℃以上,在該熱壓接片為聚丙烯片的情況下,加熱溫度為200℃以上,在該熱壓接片為聚苯乙烯片的情況下,加熱溫度為260℃以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





