[發明專利]一種基于金屬網柵的透明電磁屏蔽材料的制備方法有效
| 申請號： | 201911068114.9 | 申請日： | 2019-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN110831419B | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 羅先剛;馬曉亮;蒲明博;梁卓承;趙澤宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610209 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 金屬網 透明 電磁 屏蔽 材料 制備 方法 | ||
1.一種基于金屬網柵的透明電磁屏蔽材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在透明襯底上鍍制金屬薄膜；
步驟S2：在金屬薄膜上旋涂光刻膠；
步驟S3：使用光刻技術獲取圖形化的光刻膠；
步驟S4：利用IBE的陰影效應，在大角度離子束入射的模式下將光刻膠圖形的線寬進行縮減；
步驟S5：調整至小角度離子束入射的模式，將光刻膠的圖形傳遞至金屬層；
步驟S6：浸泡在丙酮溶液中，超聲波清洗，去除光刻膠，獲取基于金屬網柵的透明電磁屏蔽材料；
步驟S1所述的透明襯底可以是硬質材料包括石英、玻璃，也可以是柔性襯底包括聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚酰亞胺薄膜或聚乙烯醇薄膜，步驟S1所述的金屬薄膜包括銅、鋁、金和銀導電率高的材料；
步驟S2所述的光刻膠包括正膠和負膠；
步驟S3所述的光刻技術可以是激光直寫、電子束直寫和接觸式、接近式、投影式、多光束干涉曝光技術，所使用的光刻掩模版的圖形是二維周期性圖形，特征尺寸為1-5μm之間，周期是10-100μm之間；
步驟S4所述的離子束入射角由公式
步驟S5所述的離子束入射角為0-30°之間，保證對金屬層有較高的刻蝕速率，離子束的束流為100-300mA之間，加速電壓為30-100V之間；
步驟S6所述的超聲清洗功率為50-100w，時間為30-60秒。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院光電技術研究所，未經中國科學院光電技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911068114.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
