[發(fā)明專(zhuān)利]光學(xué)指紋器件及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911064969.4 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112768480A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 夏歡;馬小妹;杜柯 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146;G06K9/00 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 指紋 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟:
S100：提供第一面上形成有圖像傳感器的第一晶圓；
S200：在第一晶圓的第一面上設(shè)置由第二晶圓形成的擋光結(jié)構(gòu)；
S300：將透光層粘合至擋光結(jié)構(gòu)；
S400：在透光層上形成若干微透鏡；
從而形成所述光學(xué)指紋器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，在第一晶圓的第一面上設(shè)置由第二晶圓形成的擋光結(jié)構(gòu)的步驟包括：先刻蝕第二晶圓形成擋光結(jié)構(gòu)，再將擋光結(jié)構(gòu)粘合至第一晶圓的第一面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，在第一晶圓的第一面上設(shè)置由第二晶圓形成的擋光結(jié)構(gòu)的步驟包括：先將第二晶圓粘合或氧化層鍵合至第一晶圓的第一面，再刻蝕第二晶圓形成擋光結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：在第一晶圓的第一面或第二晶圓的表面形成紅外截止濾光膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，采用第二晶圓氧化層鍵合至第一晶圓的第一面的方式時(shí)，所述紅外截止濾光膜上形成有二氧化硅層，以提高氧化層鍵合的性能。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，在所述第二晶圓的表面形成紅外截止濾光膜之前，先在第二晶圓的表面形成二氧化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度大于等于100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，當(dāng)紅外截止濾光膜位于第二晶圓朝向第一晶圓的表面時(shí)，所述二氧化硅層作為刻蝕第二晶圓的停止層。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，當(dāng)紅外截止濾光膜位于第二晶圓朝向第一晶圓的表面時(shí)，紅外截止濾光膜作為刻蝕第二晶圓的停止層。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：所述紅外截止濾光膜位于第一晶圓的第一面時(shí)，采用剝離工藝去除焊盤(pán)區(qū)域?qū)?yīng)的紅外截止濾光膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：所述紅外截止濾光膜位于第二晶圓的表面時(shí)，采用剝離工藝、機(jī)械切割方式或激光切割方式，去除焊盤(pán)區(qū)域?qū)?yīng)的紅外截止濾光膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：采用機(jī)械切割方式或激光切割方式去除對(duì)應(yīng)于焊盤(pán)區(qū)域的透光層，以暴露出焊盤(pán)區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：第一晶圓的第一面上形成有焊盤(pán)區(qū)域，由第一晶圓的第二面將焊盤(pán)區(qū)域引出。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：在所述擋光結(jié)構(gòu)表面形成第一擋光層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述微透鏡時(shí)，同時(shí)形成微透鏡之間的透明側(cè)墻；再在所述透明側(cè)墻上形成第二擋光層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述微透鏡之后，直接在所述微透鏡之間形成第二擋光層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)指紋器件的制造方法，其特征在于，所述透光層為有機(jī)的透光膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
