[發明專利]密封門裝置及光刻設備在審
| 申請號: | 201911063171.8 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN112750694A | 公開(公告)日: | 2021-05-04 |
| 發明(設計)人: | 劉凱;王剛 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 密封 裝置 光刻 設備 | ||
本發明公開了一種密封門裝置及光刻設備,該密封門裝置包括密封板和密封門,密封板上開設有物料傳輸口,密封門具有遮擋物料傳輸口的關閉狀態和離開物料傳輸口的開啟狀態,該密封門裝置還包括:氣缸滑臺、導軌和平行度誤差消除組件,氣缸滑臺和導軌設置在物料傳輸口兩側,密封門一端與氣缸滑臺連接,另一端與導軌的滑塊連接,平行度誤差消除組件設置在密封門與氣缸滑臺和/或密封門與滑塊之間。上述的密封門裝置能夠有效提高激光退火效率,有助于提高光刻設備產率。相應地,本發明還提一種光刻設備。
技術領域
本發明涉及集成電路制造技術領域,尤其涉及一種密封門裝置及光刻設備。
背景技術
激光退火工藝能夠在背面退火而不損壞正面器件,并且激活效率高,在絕緣柵雙極型晶體管、薄膜晶體管及圖像傳感器等制造領域逐步替代傳統退火工藝。在激光退火的時候,激光會通過硅片傳輸的片庫設備照射出來,會影響操作人員的安全,因此需要在硅片傳輸通道增加密封門裝置。一般地,密封門裝置包括密封門、氣缸滑臺和導軌,氣缸滑臺和導軌分別設置在密封門的兩側,氣缸滑臺提供驅動力,帶動密封門在導軌上滑動,以實現密封門開啟或關閉。在激光器打開的時候,密封門關閉,防止激光泄漏;在激光器關閉的時候,密封門開啟,硅片傳輸機械手可以執行上下片操作。然而,由于氣缸滑臺和導軌之間的間距較大,且氣缸滑臺和導軌的自身長度較長,很難保證氣缸滑臺和導軌安裝絕對平行,在使用過程中經常出現密封門運動不順暢,甚至卡死的現象,嚴重影響激光退火效率,進而影響光刻設備產率。
發明內容
本發明的目的在于提出一種密封門裝置,以克服傳統密封門裝置存在的運動不順暢而影響激光退火效率及光刻設備產率的技術問題。
本發明的另一個目的在于提出一種光刻設備,能夠提高激光退火效率,提高設備產率。
為達此目的,一方面,本發明采用以下技術方案:
一種密封門裝置,包括密封板和密封門,所述密封板上開設有物料傳輸口,所述密封門具有遮擋所述物料傳輸口的關閉狀態和離開所述物料傳輸口的開啟狀態,該密封門裝置還包括:氣缸滑臺、導軌和平行度誤差消除組件,所述氣缸滑臺和所述導軌設置在所述物料傳輸口兩側,所述密封門一端與所述氣缸滑臺連接,另一端與所述導軌的滑塊連接,所述平行度誤差消除組件設置在所述密封門與所述氣缸滑臺和/或所述密封門與所述滑塊之間。
在其中一個實施例中,所述平行度誤差消除組件包括:密封門連接件、滑塊連接件、第一滾輪和第二滾輪,所述密封門連接件與所述密封門連接,所述滑塊連接件與所述滑塊連接,所述第一滾輪和所述第二滾輪沿所述密封門的運動方向設置在所述滑塊連接件的兩側,所述第一滾輪和所述第二滾輪均一端與密封門連接件連接,另一端與滑塊連接件抵接。
在其中一個實施例中,所述第一滾輪和所述第二滾輪均通過緊固件與所述密封門連接件連接。
在其中一個實施例中,所述滑塊連接件包括移動板和擋板,所述移動板設置在所述第一滾輪和所述第二滾輪之間,且所述移動板與所述滑塊連接,所述擋板設置在所述移動板上,且所述擋板位于所述第一滾輪和所述第二滾輪外側。
在其中一個實施例中,所述平行度誤差消除組件還包括浮動接頭,所述浮動接頭的接頭體與所述密封門件連接,所述浮動接頭的浮動頭與所述密封門連接件連接。
在其中一個實施例中,所述密封門裝置還包括止動氣缸,所述止動氣缸被配置為在所述密封門處于開啟狀態時對所述氣缸滑臺進行運動限位。
在其中一個實施例中,所述氣缸滑臺的兩端和所述導軌的兩端均設置有緩沖器。
在其中一個實施例中,所述密封門裝置還包括關閉到位傳感器和開啟到位傳感器,所述關閉到位傳感器設置在所述氣缸滑臺上或所述導軌上,所述關閉到位傳感器用于檢測所述密封門是否處于所述關閉狀態;所述開啟到位傳感器設置在所述氣缸滑臺上或所述導軌上,所述開啟到位傳感器用于檢測所述密封門是否處于所述開啟狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





