[發明專利]一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法在審
| 申請號: | 201911063022.1 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN110767590A | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發明(設計)人: | 葉武陽;李彥慶;程禹;劉佳晶;劉佳 | 申請(專利權)人: | 長春長光圓辰微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/50 |
| 代理公司: | 22206 長春市吉利專利事務所 | 代理人: | 李曉莉 |
| 地址: | 130033 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 鍵合 產品硅片 對準 凹口 圖形中心位置 測試標記 半導體制造領域 對準鍵合 鍵合機臺 結果評價 評估結果 適配 套準 測試 輸出 | ||
一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,屬于半導體制造領域,包括如下過程:在載體硅片的待鍵合面上形成第一圖形,第一圖形作為測試標記;采在產品硅片的待鍵合面上形成與第一圖形適配的第二圖形,第二圖形作為測試標記,采用凹口對準方式對具有第一圖形的載體硅片和具有第二圖形的產品硅片進行鍵合;鍵合后,測試第一圖形和第二圖形的中心相對位置,通過將第一圖形和第二圖形中心位置進行比較,利用第一圖形和第二圖形中心位置的偏差,得出載體硅片和產品硅片鍵合后的對準結果。本發明方法可以有效的解決使用凹口對準后不能實現兩片硅片套準結果評價問題,為鍵合機臺調整和產品鍵合后的對準輸出評估結果。
技術領域
本發明公開了一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,屬于半導體制造領域。
背景技術
傳統的方法都是利用硅片上制作好的標記進行對準和測試,由此評價鍵合機臺自身的對準結果,因此需要使用硅片上邊緣凹口進行兩片硅片位置對準,但使用凹口標記對準后進行套刻評價目前還不能實現,因此,亟需一種新的技術方案解決上述問題。
發明內容
針對現有技術中存在的使用凹口標記對準后進行套刻評價目前還不能實現的問題,本發明的目的是提供一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,是在兩片硅片上制作測試標記,利用鍵合機臺的紅外特性,對鍵合后的硅片套準情況進行測試、評估,該方法可以有效的解決使用凹口對準后不能實現兩片硅片套準結果評價問題,為鍵合機臺調整和產品鍵合后的對準輸出評估結果。
本發明為實現上述目的采用的技術方案是:一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、選取載體硅片和產品硅片;
步驟二、采用光刻和刻蝕工藝在載體硅片的待鍵合面上形成第一圖形,第一圖形作為測試標記;
步驟三、采用光刻和刻蝕工藝在產品硅片的待鍵合面上形成與第一圖形適配的第二圖形,第二圖形作為測試標記,載體硅片和產品硅片的待鍵合面正對放置時,所述第二圖形的投影嵌套在第一圖形內,第一圖形的中心點和第二圖形的中心點位于同一直線上,第一圖形的中心在第二圖形上的投影與第二圖形的中心重合;
步驟四、采用凹口對準方式對具有第一圖形的載體硅片和具有第二圖形的產品硅片進行鍵合;
步驟五、鍵合后,測試第一圖形和第二圖形的中心相對位置,通過將第一圖形和第二圖形中心位置進行比較,利用第一圖形和第二圖形中心位置的偏差,得出載體硅片和產品硅片鍵合后的對準結果。
進一步,所述第一圖形為圓形或三條以上的線段首尾順次連接所組成的封閉圖形。
進一步,所述第二圖形為圓形或三條以上的線段首尾順次連接所組成的封閉圖形。
通過上述設計方案,本發明可以帶來如下有益效果:本發明提出的用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,解決了使用硅片本身的凹口進行對準鍵合兩片硅片時,不能評價這兩片硅片套準的問題,可以有效的評價出這種對準鍵合和套準的結果,同時可以利用機臺對鍵合界面與精度進行更良好的控制。
具體實施方式
為了更清楚地說明本發明,下面結合優選實施例對本發明做進一步的說明。本領域技術人員應當理解。下面所具體描述的內容是說明性的而非限制性的,在不脫離權利要求中所闡述的發明機理和范圍的情況下,使用者可以對下列參數進行各種改變。為了避免混淆本發明的實質,公知的方法和過程并沒有詳細的敘述。
本發明所提出的一種用硅片凹口對準鍵合兩片硅片的方法,包括如下步驟:
步驟一、制作用于測量套刻的測試標記所需要的光刻版;
步驟二、選取載體硅片和產品硅片;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





