[發明專利]一種晶圓切片方法及芯片

在審

• 申請號: 201911062069.6
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN110838439A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 諸舜杰;阮孟波;董建新
• 申請（專利權）人: 上海韋爾半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/308;H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種晶圓切片方法，包括：通過第一刻蝕工藝對晶圓上表面的劃片道進行刻蝕至目標深度；在上表面劃片道刻蝕至目標厚度的晶圓上部設置鍵合片；通過第二刻蝕工藝對晶圓下表面的劃片道進行刻蝕直到所述下表面劃片道與上表面劃片道連通；以及通過在所述晶圓的下表面貼劃片膜并去除所述鍵合片后，獲得分離后的芯片。本發明還公開了通過上述切片方法制得的芯片，本發明公開的技術方案大大增加每片晶圓上芯片的存活數目及芯片產量。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種晶圓切片方法及芯片。

背景技術

現在晶圓切片工藝方法是通過劃片機將硅片切割成單個芯片，再用取芯片設備或手工將芯片取出。

但分割晶圓所用的金剛刀會使得芯片邊緣崩裂，缺角，嚴重的會破壞芯片結構，導致電性失效及良率的損失。另外微小的硅裂會出現延伸及傳播，極大的影響后續可靠性與使用壽命。隨著半導體器件尺寸逐漸變小，通常的60um劃片道已經極大的影響的芯片的數目。但因刀片劃片是一種機械形式，主要受制于刀片的本體寬度，這是一個目前無法逾越的工藝瓶頸。

發明內容

本發明實施例的目的可解決現有技術中分割晶圓是采用劃片所引入的邊緣崩裂，缺角問題。

為實現上述目的，本發明實施例提供了一種晶圓切片方法，包括：

通過第一刻蝕工藝對晶圓上表面的劃片道進行刻蝕至目標深度；

在上表面劃片道刻蝕至目標厚度的晶圓上部設置鍵合片；

通過第二刻蝕工藝對晶圓下表面的劃片道進行刻蝕直到所述下表面劃片道與上表面劃片道連通；以及

通過在所述晶圓的下表面貼劃片膜并去除所述鍵合片后，獲得分離后的芯片。

與現有技術相比，本發明公開的技術方案通過在晶圓的上表面劃片道和下表面劃片道分別進行刻蝕，這樣可以有效進行分離芯片，減少存在芯片邊緣崩裂，缺角的問題，并通過在上表面劃片道刻蝕后設置鍵合片預防在進行下表面刻蝕后的芯片分離，因為有鍵合片的存在，在晶圓背面減薄后，晶圓不會翹曲，通過本發明的技術方案劃片道可設計在10um以下，大大增加每片晶圓上芯片的存活數目及芯片產量。

另一方面，本發明還公開了一種芯片，通過至少一個上述的一種晶圓切片方法制得。

與現有技術相比，本發明提供的芯片的有益效果與上述技術方案所述一種晶圓切片方法的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為發明實施例中一種晶圓切片方法的流程圖；

圖2為經過晶圓上表面淀積阻擋層，并涂光刻膠后，去除不需要部分的示意圖；

圖3為在圖2的基礎上去除光刻膠的結構示意圖；

圖4為通過第一刻蝕工藝對晶圓上表面的劃片道進行刻蝕至目標深度的結構示意圖；

圖5為在圖4的基礎上去除阻擋層的結構示意圖；

圖6為在圖5的基礎上通過結合膠固定鍵合片的結構示意圖；

圖7為晶圓下表面有阻擋層并進行刻蝕的結構示意圖；

圖8為去除下表面阻擋層并設置劃片膜的結構示意圖；

圖9為去除鍵合片的結構示意圖；

圖10為獲得芯片的結構示意圖；