[發明專利]一種晶圓切片方法及芯片在審
| 申請號： | 201911062069.6 | 申請日： | 2019-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN110838439A | 公開（公告）日： | 2020-02-25 |
| 發明（設計）人： | 諸舜杰;阮孟波;董建新 | 申請（專利權）人： | 上海韋爾半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 切片 方法 芯片 | ||
1.一種晶圓切片方法，其特征在于，包括：
通過第一刻蝕工藝對晶圓上表面的劃片道進行刻蝕至目標深度；
在上表面劃片道刻蝕至目標厚度的晶圓上部設置鍵合片；
通過第二刻蝕工藝對晶圓下表面的劃片道進行刻蝕直到所述下表面劃片道與上表面劃片道連通；以及
通過在所述晶圓的下表面貼劃片膜并去除所述鍵合片后，獲得分離后的芯片。
2.如權利要求1所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝與所述第二刻蝕工藝相同或不同。
3.如權利要求1所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝與所述第二刻蝕工藝都為深度反應離子刻蝕工藝。
4.如權利要求1所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述通過第一刻蝕工藝對晶圓的上表面劃片道進行刻蝕之前，包括：
在所述晶圓上表面依次淀積阻擋層，涂光刻膠，進行光刻，然后去除不需要的阻擋層區域，最后獲得劃片道。
5.如權利要求1所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述通過第一刻蝕工藝對晶圓上表面的劃片道進行刻蝕至目標深度之后，包括：去除晶圓上表面的阻擋層，在所述晶圓的上表面設置鍵合片。
6.如權利要求5所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述鍵合片通過結合膠設置在上表面刻蝕后的晶圓上部。
7.如權利要求1所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述通過第二刻蝕工藝對晶圓的下表面劃片道刻蝕之前，包括：
在所述晶圓下表面依次淀積阻擋層，涂光刻膠，進行光刻，然后去除不需要的下表面阻擋層區域，最后獲得下表面劃片道。
8.如權利要求7所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述在所述晶圓下表面依次淀積阻擋層，涂光刻膠之前，包括，通過物理手段將所述晶圓的下表面減薄。
9.如權利要求7所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述通過在所述晶圓的下表面貼劃片膜之前，包括：去除晶圓下表面阻擋層。
10.如權利要求9所述的一種晶圓切片方法，其特征在于，所述去除晶圓下表面阻擋層之后，還包括，對所述晶圓下表面進行金屬化處理。
11.一種芯片，通過權利要求1-9任一項所述的一種晶圓切片方法制得。
12.一種芯片，通過權利要求1-10任一項所述的一種晶圓切片方法制得。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
