[發(fā)明專利]基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及基板處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911060409.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111146134A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木芳彥;町山彌;南雅人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板載置臺(tái) 處理 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明提供在對(duì)FPD用的基板進(jìn)行蝕刻等處理時(shí)進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的處理的基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及基板處理方法。一種基板載置臺(tái),當(dāng)在處理容器內(nèi)處理基板時(shí)所述基板載置臺(tái)載置所述基板并對(duì)其進(jìn)行調(diào)溫,其中,所述基板載置臺(tái)具有:金屬制的第1板,其借助間隙被劃分區(qū)域成多個(gè)調(diào)溫區(qū)域;以及金屬制的第2板,其與所述第1板接觸,并具有比所述第1板的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率,各個(gè)所述調(diào)溫區(qū)域內(nèi)置有進(jìn)行固有的調(diào)溫的調(diào)溫部,具有用于載置所述基板的上表面的所述第1板載置于所述第2板的上表面。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)
專利文獻(xiàn)1中公開有一種基板載置臺(tái),該基板載置臺(tái)具有金屬制的基材和用于吸附基板的靜電卡盤,基材的至少與靜電卡盤接觸的部分由馬氏體類不銹鋼或鐵素體類不銹鋼構(gòu)成。根據(jù)專利文獻(xiàn)1中公開的基板載置臺(tái)和包括該基板載置臺(tái)的基板處理裝置,能夠防止由基材與靜電卡盤之間的熱膨脹差引起的靜電卡盤的破損。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2017-147278號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供在平板顯示器(Flat Panel Display,以下稱作“FPD”)的制造過程中對(duì)FPD用的基板進(jìn)行蝕刻處理等時(shí)有利于進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的處理的基板載置臺(tái)和基板處理裝置。
本公開的一技術(shù)方案為一種基板載置臺(tái),當(dāng)在處理容器內(nèi)處理基板時(shí)所述基板載置臺(tái)載置所述基板并對(duì)其進(jìn)行調(diào)溫,其中,
所述基板載置臺(tái)具有:
金屬制的第1板,其借助間隙被劃分區(qū)域成多個(gè)調(diào)溫區(qū)域;以及
金屬制的第2板,其與所述第1板接觸,并具有比所述第1板的熱傳導(dǎo)率低的熱傳導(dǎo)率,
各個(gè)所述調(diào)溫區(qū)域內(nèi)置有進(jìn)行固有的調(diào)溫的調(diào)溫部,
具有用于載置所述基板的上表面的所述第1板載置于所述第2板的上表面。
根據(jù)本公開,能夠提供在對(duì)FPD用的基板進(jìn)行蝕刻處理等時(shí)進(jìn)行面內(nèi)均勻性較高的處理的基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及基板處理方法。
附圖說明
圖1是表示實(shí)施方式所涉及的基板載置臺(tái)、基板處理裝置以及基板處理方法的一個(gè)例子的剖視圖。
圖2是圖1的II-II向視圖,且是第1板的橫剖視圖。
圖3A是模擬了第1板的一個(gè)例子的俯視圖。
圖3B是模擬了第1板的另一例子的俯視圖。
圖3C是模擬了第1板的又一例子的俯視圖。
圖3D是模擬了第1板的再一例子俯視圖。
圖3E是模擬了第1板的又再一例子的俯視圖。
圖4A是溫度分析中使用的基板載置臺(tái)模型的一個(gè)例子的側(cè)視圖。
圖4B是溫度分析中使用的基板載置臺(tái)模型的另一例子的側(cè)視圖。
圖4C是圖4A、圖4B的C-C向視圖,且是溫度調(diào)整板模型的橫剖視圖,還是表示分析溫度指定部位的圖。
圖5A是表示放電次數(shù)與電極溫度的相關(guān)圖表的圖。
圖5B是放大了圖5A的B部的圖。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
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- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
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