[發(fā)明專利]基板載置臺、基板處理裝置以及基板處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911060409.1 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN111146134A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 佐佐木芳彥;町山彌;南雅人 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板載置臺 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板載置臺，當在處理容器內(nèi)處理基板時該基板載置臺載置所述基板并對其進行調(diào)溫，其中，
所述基板載置臺具有：
金屬制的第1板，其借助間隙被劃分區(qū)域成多個調(diào)溫區(qū)域；以及
金屬制的第2板，其與所述第1板接觸，并具有比所述第1板的熱傳導率低的熱傳導率，
各個所述調(diào)溫區(qū)域內(nèi)置有進行固有的調(diào)溫的調(diào)溫部，
具有用于載置所述基板的上表面的所述第1板載置于所述第2板的上表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板載置臺，其中，
所述第1板由鋁或鋁合金形成，
所述第2板由不銹鋼形成。
3.根據(jù)權利要求2所述的基板載置臺，其中，
所述第2板由奧氏體類不銹鋼形成。
4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的基板載置臺，其中，
所述多個調(diào)溫區(qū)域之間在所述間隙的上下連續(xù)。
5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的基板載置臺，其中，
在任一所述調(diào)溫區(qū)域電連接有電源。
6.根據(jù)權利要求1～5中任一項所述的基板載置臺，其中，
所述調(diào)溫部具有加熱器和供調(diào)溫介質流通的調(diào)溫介質流路中的至少任一者。
7.一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有：處理容器、在所述處理容器內(nèi)載置基板并對其進行調(diào)溫的基板載置臺、以及所述基板載置臺的調(diào)溫源，其中，
所述基板載置臺具有：
金屬制的第1板，其借助間隙被劃分區(qū)域成多個調(diào)溫區(qū)域；以及
金屬制的第2板，其與所述第1板接觸，并具有比所述第1板的熱傳導率低的熱傳導率，
各個所述調(diào)溫區(qū)域內(nèi)置有進行固有的調(diào)溫的調(diào)溫部，
具有用于載置所述基板的上表面的所述第1板載置于所述第2板的上表面。
8.根據(jù)權利要求7所述的基板處理裝置，其中，
所述第1板由鋁或鋁合金形成，
所述第2板由不銹鋼形成。
9.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其中，
所述第2板由奧氏體類不銹鋼形成。
10.根據(jù)權利要求7～9中任一項所述的基板處理裝置，其中，
所述多個調(diào)溫區(qū)域之間在所述間隙的上下連續(xù)。
11.根據(jù)權利要求7～10中任一項所述的基板處理裝置，其中，
在任一所述調(diào)溫區(qū)域電連接有電源。
12.根據(jù)權利要求7～11中任一項所述的基板處理裝置，其中，
所述調(diào)溫部具有加熱器和供調(diào)溫介質流通的調(diào)溫介質流路中的至少任一者，
與所述加熱器相對應的所述調(diào)溫源為加熱器電源，與所述調(diào)溫介質流路相對應的所述調(diào)溫源為冷卻器。
13.根據(jù)權利要求7～12中任一項所述的基板處理裝置，其中，
所述基板處理裝置還具有控制部，
所述控制部對于所述調(diào)溫源執(zhí)行使各個所述調(diào)溫區(qū)域所具有的所述調(diào)溫部以固有的溫度進行調(diào)溫的處理。
14.根據(jù)權利要求13所述的基板處理裝置，其中，
所述基板載置臺具有俯視呈矩形的外形，
所述調(diào)溫區(qū)域具有矩形框狀的外側調(diào)溫區(qū)域和在所述外側調(diào)溫區(qū)域的內(nèi)側隔著所述間隙配設的俯視呈矩形的內(nèi)側調(diào)溫區(qū)域，
所述外側調(diào)溫區(qū)域和所述內(nèi)側調(diào)溫區(qū)域均內(nèi)置有調(diào)溫介質流路，
所述控制部對于所述調(diào)溫源執(zhí)行使比在所述外側調(diào)溫區(qū)域的所述調(diào)溫介質流路中流通的調(diào)溫介質相對高溫的調(diào)溫介質在所述內(nèi)側調(diào)溫區(qū)域的所述調(diào)溫介質流路中流通的控制。
15.一種基板處理方法，該基板處理方法使用了基板處理裝置，該基板處理裝置具有：處理容器、在所述處理容器內(nèi)載置基板并對其進行調(diào)溫的基板載置臺、以及所述基板載置臺的調(diào)溫源，其中，
所述基板載置臺具有：
金屬制的第1板，其借助間隙被劃分區(qū)域成多個調(diào)溫區(qū)域，以及
金屬制的第2板，其與所述第1板接觸，并具有比所述第1板的熱傳導率低的熱傳導率，
各個所述調(diào)溫區(qū)域內(nèi)置有進行固有的調(diào)溫的調(diào)溫部，
具有用于載置所述基板的上表面的所述第1板載置于所述第2板的上表面，
在各個所述調(diào)溫區(qū)域一邊進行固有的調(diào)溫一邊進行基板處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
