[發明專利]標準單元

在審

• 申請號: 201911059092.X
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN111146196A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 都楨湖
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/088;H01L29/10;H01L29/78;H03K19/20
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

1.一種標準單元，包括：

具有第一導電類型的第一垂直場效應晶體管，其中，所述第一垂直場效應晶體管包括第一溝道區域，所述第一溝道區域在垂直于襯底的上表面的垂直方向上從所述襯底突出，并且所述第一溝道區域在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上具有第一長度；

具有與所述第一導電類型不同的第二導電類型的第二垂直場效應晶體管，其中，所述第二垂直場效應晶體管包括第二溝道區域，所述第二溝道區域在所述垂直方向上從所述襯底突出，并且所述第二溝道區域在所述第一水平方向上具有第二長度；以及

具有所述第一導電類型的第三垂直場效應晶體管，其中，所述第三垂直場效應晶體管包括在所述垂直方向上從所述襯底突出的第三溝道區域，

其中，所述第一溝道區域、所述第二溝道區域和所述第三溝道區域在所述第一水平方向上彼此間隔開，并且沿著所述第一水平方向順序地布置，

其中，所述第二長度大于所述第一長度的1.5倍。

2.根據權利要求1所述的標準單元，其中，所述第三溝道區域在所述第一水平方向上具有第三長度，所述第三長度等于所述第一長度。

3.根據權利要求1所述的標準單元，其中，所述第二長度大于所述第一長度的2倍。

4.根據權利要求1所述的標準單元，所述標準單元還包括公共柵極層，所述公共柵極層包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分包括所述第一垂直場效應晶體管的第一柵電極，所述第二部分包括所述第二垂直場效應晶體管的第二柵電極，所述第三部分包括所述第三垂直場效應晶體管的第三柵電極。

5.根據權利要求1所述的標準單元，其中，所述第一垂直場效應晶體管還包括所述襯底中的第一底部源/漏區，所述第三垂直場效應晶體管還包括所述襯底中的第三底部源/漏區，

其中，所述第一底部源/漏區和所述第三底部源/漏區被構造為連接到具有第一電壓的第一電源。

6.根據權利要求1所述的標準單元，所述標準單元還包括：

第一底部接觸，所述第一底部接觸沿著與所述第一垂直場效應晶體管相鄰的第一單元邊界延伸；以及

第二底部接觸，所述第二底部接觸沿著與所述第三垂直場效應晶體管相鄰的第二單元邊界延伸，

其中，所述第一底部接觸和所述第二底部接觸在所述第一水平方向上彼此間隔開，并且在垂直于所述垂直方向并橫穿所述第一水平方向的第二水平方向上縱向延伸，

其中，所述第一底部接觸和所述第二底部接觸被構造為接收具有第一電壓的第一電源。

7.根據權利要求1所述的標準單元，其中，所述標準單元包括與所述第一垂直場效應晶體管相鄰的第一單元邊界和與所述第三垂直場效應晶體管相鄰的第二單元邊界，并且所述第一單元邊界和所述第二單元邊界在所述第一水平方向上彼此間隔開，

其中，所述第二溝道區域包括在所述第一水平方向上與所述第一單元邊界和所述第二單元邊界均等距的部分。

8.一種標準單元，包括：

第一垂直場效應晶體管，所述第一垂直場效應晶體管包括第一溝道區域，所述第一溝道區域在垂直于襯底的上表面的垂直方向上從所述襯底突出；

第二垂直場效應晶體管，所述第二垂直場效應晶體管包括第二溝道區域，所述第二溝道區域在所述垂直方向上從所述襯底突出；以及

第三垂直場效應晶體管，所述第三垂直場效應晶體管包括第三溝道區域，所述第三溝道區域在所述垂直方向上從所述襯底突出，

其中，所述第一溝道區域、所述第二溝道區域和所述第三溝道區域在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上彼此間隔開，并且沿著所述第一水平方向順序地布置，

其中，所述標準單元還包括與所述第一垂直場效應晶體管相鄰的第一單元邊界以及與所述第三垂直場效應晶體管相鄰的第二單元邊界，并且所述第一單元邊界和所述第二單元邊界在所述第一水平方向上彼此間隔開，

其中，所述第二溝道區域包括在所述第一水平方向上與所述第一單元邊界和所述第二單元邊界均等距的部分。