[發明專利]氮化鎵設備的封裝結構

在審

• 申請號: 201911057318.2
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN111244061A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: S·圣日爾曼;R·阿巴斯諾特;D·比林斯;A·塞拉亞
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 周陽君

本發明題為“氮化鎵設備的封裝結構”。本發明提供了一種半導體封裝件的實施方式。該半導體封裝件的實施方式可包括：襯底，該襯底具有第一側上的一條或多條跡線以及第二側上的一條或多條跡線。襯底可以是剛性的。封裝件，該封裝件可包括以機械的方式和電的方式耦接到襯底的第一側的至少一個管芯。管芯可以是高壓管芯。封裝件可包括沿襯底的一個或多個邊緣的一條或多條跡線。沿襯底的一個或多個邊緣的一條或多條跡線提供襯底第一側上的一條或多條跡線與襯底第二側上的一條或多條跡線之間的電連接。封裝件還可包括模塑料，模塑料包封至少第一側和該陶瓷襯底的一個或多個邊緣。

背景技術

1.技術領域

本文件的各方面整體涉及半導體封裝件，諸如電子設備的功率模塊。更具體的實施方式涉及單管芯模塊和多管芯模塊，諸如開關。

2.背景技術

具有高壓管芯的功率模塊包括引線框架或印刷電路板襯底。已知高壓管芯由于較大的電壓和快速的切換速度而產生大量的熱量。管芯可通過夾具和焊線電耦接到功率和信號。

發明內容

半導體封裝件的實施方式可包括：襯底，該襯底具有第一側上的一條或多條跡線以及襯底的第二側上的一條或多條跡線。襯底可以是剛性的。封裝件可包括以機械的方式和電的方式耦接到襯底的第一側的至少一個管芯。管芯可以是高壓管芯。封裝件可包括沿襯底的一個或多個邊緣的一條或多條跡線。沿襯底的一個或多個邊緣的一條或多條跡線在襯底的第一側上的一條或多條跡線與在襯底的第二側上的一條或多條跡線之間提供電連接。封裝件還可包括模塑料，模塑料包封至少所述第一側和襯底的一個或多個邊緣。

半導體封裝件的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

襯底可以是陶瓷的，并且陶瓷可以是氮化鋁、氧化鋁或它們的任何組合。

襯底可為直接接合銅襯底。

管芯可包括氮化鎵。

封裝件還可包括將所述一個或多個管芯電耦接到所述襯底的夾具或兩個或更多個焊線中的一者。

夾具可包括3密耳至20密耳的厚度。

封裝件還可包括耦接到襯底的所述第一側或第二側的一個或多個銅柱。

半導體封裝件的實施方式可包括：陶瓷襯底，該陶瓷襯底包括第一側上的一條或多條跡線以及陶瓷襯底的第二側上的一條或多條跡線。陶瓷襯底可以是電絕緣的。封裝件還可包括以機械的方式和電的方式耦接到陶瓷襯底的第一側的至少一個管芯。至少一個管芯可為高壓管芯。封裝件還可包括一條或多條跡線，一條或多條跡線從陶瓷襯底的第一側延伸到第二側。封裝件還可包括模塑料，模塑料包封至少第一側和陶瓷襯底的一個或多個邊緣。封裝件中的一條或多條跡線在陶瓷襯底的第一側上的一條或多條跡線與在陶瓷襯底的第二側上的一條或多條跡線之間提供電連接。

半導體封裝件的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

襯底可以是陶瓷的，并且可包括氮化鋁、氧化鋁或它們的任何組合。

管芯可包括氮化鎵。

封裝件還可包括將所述一個或多個管芯電耦接到襯底的夾具或兩個或更多個焊線中的一者。

夾具可包括3密耳至20密耳的厚度。

封裝件還可包括耦接到陶瓷襯底的所述第一側或所述第二側的一個或多個銅柱。