[發明專利]氮化鎵設備的封裝結構

在審

• 申請號: 201911057318.2
• 申請日: 2019-11-01
• 公開（公告）號: CN111244061A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: S·圣日爾曼;R·阿巴斯諾特;D·比林斯;A·塞拉亞
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 周陽君

1.一種半導體封裝件，包括：

襯底，所述襯底包括第一側上的一條或多條跡線和所述襯底的第二側上的一條或多條跡線，其中所述襯底為剛性的；

至少一個管芯，所述至少一個管芯以機械的方式和電的方式耦接到所述襯底的所述第一側，其中所述管芯為高壓管芯；

一條或多條跡線，所述一條或多條跡線沿所述襯底的一個或多個邊緣；和

模塑料，所述模塑料包封所述襯底的至少所述第一側和所述襯底的所述一個或多個邊緣；

其中沿所述襯底的所述一個或多個邊緣的所述一條或多條跡線在所述襯底的所述第一側上的所述一條或多條跡線與在所述襯底的所述第二側上的所述一條或多條跡線之間提供電連接。

2.根據權利要求1所述的設備，還包括將所述一個或多個管芯電耦接到所述襯底的夾具或兩個或更多個焊線中的一者。

3.根據權利要求1所述的設備，還包括耦接到所述陶瓷襯底的所述第一側或所述第二側中的一者的一個或多個銅柱。

4.一種半導體封裝件，包括：

陶瓷襯底，所述陶瓷襯底包括第一側上的一條或多條跡線和所述剛性陶瓷襯底的第二側上的一條或多條跡線，其中所述陶瓷襯底為電絕緣的；

至少一個高壓管芯，所述至少一個高壓管芯以機械的方式和電的方式耦接到所述陶瓷襯底的所述第一側；

一條或多條跡線，所述一條或多條跡線從所述陶瓷襯底的所述第一側延伸到所述第二側；和

模塑料，所述模塑料包封至少所述第一側和所述陶瓷襯底的所述一個或多個邊緣；

其中所述一條或多條跡線在所述陶瓷襯底的所述第一側上的所述一條或多條跡線與在所述陶瓷襯底的所述第二側上的所述一條或多條跡線之間提供所述電連接。

5.根據權利要求4所述的設備，還包括耦接到所述襯底的所述第一側或所述第二側中的一者的一個或多個銅柱。

6.一種用于形成半導體設備的方法，所述方法包括：

提供兩個或更多個電絕緣襯底，所述襯底各自具有第一側和第二側以及穿過所述第一側和所述第二側的多個開口；

從所述兩個或更多個電絕緣襯底的第一側到所述兩個或更多個電絕緣襯底的所述第二側，形成通過所述多個開口的一條或多條跡線；

在所述兩個或更多個電絕緣襯底的所述第一側和所述第二側中的每一個上形成一條或多條跡線；

在所述多個開口處切割所述兩個或更多個電絕緣襯底；

將一個或多個管芯耦接到所述兩個或更多個電絕緣襯底中的每一個的所述第一側；和

包封所述一個或多個管芯以及所述兩個或更多個電絕緣襯底中的每一個；

其中所述襯底為剛性的；和

其中所述一個或多個管芯為高壓管芯。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述電絕緣襯底的所述第二側上的所述一條或多條跡線為暴露的。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述一條或多條跡線沿所述兩個或更多個電絕緣襯底中的每一個的一個或多個邊緣形成。

9.根據權利要求6所述的方法，還包括在所述電絕緣襯底的平坦表面中形成一個或多個通孔。

10.根據權利要求6所述的方法，還包括將一個或多個夾具或兩個或更多個焊線中的一者耦接到所述一個或多個管芯和所述一條或多條跡線。