[發明專利]閃存器件的形成方法在審
| 申請號： | 201911057262.0 | 申請日： | 2019-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN110767658A | 公開（公告）日： | 2020-02-07 |
| 發明（設計）人： | 田偉思;鄒榮;張金霜;王奇偉;陳昊瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11568 | 分類號： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質層 去除 半導體襯底表面 濕法刻蝕 柵極結構 頂面 暴露 刻蝕損傷 閃存器件 襯底 半導體 側面 | ||
1.一種閃存器件的形成方法，其特征在于，所述閃存器件的形成方法包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極結構；
依次形成第一介質層、第二介質層和第三介質層，所述第二介質層與所述第一介質層和所述第三介質層的材料不同，所述第一介質層覆蓋所述柵極結構的側面和頂面以及所述半導體襯底表面；
去除所述柵極結構頂面和所述半導體襯底表面的所述第三介質層，暴露出所述第二介質層的部分；
通過濕法刻蝕去除暴露出的所述第二介質層。
2.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所采用的溶液為磷酸。
3.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第三介質層的厚度大于所述第一介質層的厚度。
4.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第三介質層的材料相同。
5.如權利要求4所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第三介質層的材料均為氧化硅。
6.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的材料為氮化硅。
7.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕去除所述柵極結構頂面和所述半導體襯底表面的第三介質層。
8.如權利要求7所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體為四氟甲烷、四氟乙烷、氟化硅和三氟化氮以及三氟甲烷中的一種或者組合。
9.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵介質層和位于所述柵介質層上的柵極。
10.如權利要求1所述的閃存器件的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底表面形成有一氧化層，所述柵極結構位于所述氧化層上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
