[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201911056284.5
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN111128753B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 杜孟哲;陳韋志;廖思豪;胡毓祥;郭宏瑞;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在管芯的鈍化層上方和所述管芯的管芯連接件上方形成第一介電層，所述管芯連接件延伸穿過所述鈍化層；

固化所述第一介電層，其中，在固化所述第一介電層之后，所述第一介電層具有遠離所述鈍化層的彎曲的上表面，其中，所述彎曲的上表面包括：

第一區域，位于所述管芯連接件上方；以及

第二區域，與所述管芯連接件橫向相鄰，其中，所述第一區域比所述第二區域從所述鈍化層延伸更遠，其中，所述第一區域和所述第二區域之間的第一距離大于第一預定閾值，所述第一距離是沿著所述管芯連接件高度方向的距離；

在固化的第一介電層上方形成第二介電層；以及

固化所述第二介電層，其中，在固化所述第二介電層之后，所述第二介電層的遠離所述鈍化層的上表面包括：

第三區域，位于所述第一區域上方；以及

第四區域，位于所述第二區域上方，其中，所述第三區域和所述第四區域之間的第二距離小于所述第一預定閾值，所述第二距離是沿著所述管芯連接件高度方向的距離；

在固化所述第二介電層之后實施減薄工藝以減小所述管芯的厚度；

將厚度減小的所述管芯附接至載體；

在所述載體上方和所述管芯上方形成模制材料；以及

在所述模制材料上方形成再分布結構，所述再分布結構電耦合至所述管芯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在固化所述第二介電層之前，所述管芯位于襯底中，其中，所述方法還包括在固化所述第二介電層之后實施切割工藝，其中，所述切割工藝將所述管芯與所述襯底中的其它管芯分離。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在固化所述第二介電層之前，所述第二介電層具有遠離所述鈍化層的平坦的上表面。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在形成所述模制材料之后實施平坦化工藝，其中，所述平坦化工藝去除所述模制材料的至少部分并且暴露所述管芯連接件，其中，在所述平坦化工藝之后，所述管芯連接件、所述第一介電層和所述第二介電層具有相同層級的上表面。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述平坦化工藝去除所述第一介電層的部分和所述第二介電層的部分，其中，在所述平坦化工藝之后，所述第一介電層的剩余部分與所述管芯連接件物理接觸，并且所述第二介電層的剩余部分通過所述第一介電層的剩余部分與所述管芯連接件分離。

6.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在形成所述模制材料之后實施平坦化工藝，其中，所述平坦化工藝去除所述第二介電層和部分所述第一介電層，其中，在所述平坦化工藝之后，所述管芯連接件和所述第一介電層具有相同層級的上表面。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述平坦化工藝還去除所述管芯連接件的上部。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一預定閾值是4μm。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層由包含PI、PBO或聚丙烯酸酯的材料形成，并且所述第二介電層由包含環氧樹脂或酚醛環氧樹脂的材料形成。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層的第一收縮率在50％和80％之間，并且所述第二介電層的第二收縮率小于5％。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層在第一溫度下固化，并且所述第二介電層在低于所述第一溫度的第二溫度下固化。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一介電層和所述第二介電層在相同溫度下固化。