[發(fā)明專(zhuān)利]一種高頻窄脈沖檢測(cè)鎖定電路及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911049661.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110850201B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 37105
• 代理人: 王敏

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種高頻窄脈沖檢測(cè)鎖定電路和方法，所述電路包括控制單元、鎖定解鎖單元、分壓?jiǎn)卧捅Ｗo(hù)單元，所述控制單元用于所述電路偵測(cè)到第一高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)輸出高電平，所述電路偵測(cè)到第二高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)輸出低電平，所述鎖定解鎖單元用于鎖定第一高頻窄脈沖信號(hào)或解鎖第一高頻窄脈沖信號(hào)，所述分壓?jiǎn)卧糜诮o鎖定解鎖單元提供分壓，所述保護(hù)單元用于過(guò)壓保護(hù)；所述方法當(dāng)電路偵測(cè)到第一高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)，第一高頻窄脈沖信號(hào)被鎖定；當(dāng)電路偵測(cè)到第二高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)，第一高頻窄脈沖信號(hào)被解鎖。本發(fā)明采用分立元件進(jìn)行高頻窄脈沖的檢測(cè)，電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性高，成本低，適用范圍廣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及脈沖檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高頻窄脈沖檢測(cè)鎖定電路及方法。

背景技術(shù)

高頻窄脈沖是非連續(xù)的，由持續(xù)時(shí)間短和幅度大的不規(guī)則脈沖或噪聲尖峰組成。產(chǎn)生脈沖噪聲的原因多種多樣，其中包括電磁干擾以及通信系統(tǒng)的故障和缺陷，也可能在通信系統(tǒng)的電氣開(kāi)關(guān)和繼電器改變狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生。

脈沖噪聲對(duì)模擬數(shù)據(jù)一般僅是小麻煩。但在數(shù)字式數(shù)據(jù)通信中，脈沖噪聲是出錯(cuò)的主要原因。脈沖噪聲，它的持續(xù)時(shí)間小于1秒、噪聲強(qiáng)度峰值比其均方根值大于10dB。脈沖噪聲會(huì)突然爆發(fā)又很快消失，因此需要對(duì)脈沖進(jìn)行檢測(cè)并鎖定處理。

一般情況，進(jìn)行高頻窄脈沖檢測(cè)的方式是將高頻窄脈沖輸入到集成電路芯片進(jìn)行檢測(cè)和轉(zhuǎn)換，然后輸出給后級(jí)處理電路。使用集成電路芯片的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜、元器件成本較高，通用性不強(qiáng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例中提供了一種高頻窄脈沖檢測(cè)鎖定電路及方法，以解決現(xiàn)有檢測(cè)電路設(shè)計(jì)復(fù)雜和成本高的問(wèn)題。本發(fā)明所述電路采用分立元件進(jìn)行高頻窄脈沖的檢測(cè)，對(duì)于不同幅值的脈沖大小都通用，可靠性高，且成本低。

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了如下技術(shù)方案：

本發(fā)明第一方面提供了一種高頻窄脈沖檢測(cè)鎖定電路，包括控制單元、鎖定解鎖單元、分壓?jiǎn)卧捅Ｗo(hù)單元，所述控制單元連接鎖定解鎖單元和分壓?jiǎn)卧霰Ｗo(hù)單元連接鎖定解鎖單元；

所述控制單元用于所述電路偵測(cè)到第一高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)輸出高電平，所述電路偵測(cè)到第二高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)輸出低電平，

所述鎖定解鎖單元用于鎖定第一高頻窄脈沖信號(hào)或解鎖第一高頻窄脈沖信號(hào)，

所述分壓?jiǎn)卧糜诮o鎖定解鎖單元提供分壓，

所述保護(hù)單元用于過(guò)壓保護(hù)。

進(jìn)一步地，所述控制單元包括P型MOSFET管Q1、電阻R1和電阻R2,P型MOSFET管Q1的柵極連接電阻R1的一端和電阻R2的一端，P型MOSFET管Q1的源極連接電阻R1的另一端和Vcc，P型MOSFET管Q1的漏極連接輸出電壓Vout和電阻R6的一端；當(dāng)電路上電后，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout輸出低電平，當(dāng)電路偵測(cè)到第一高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)，P型MOSFET管Q1導(dǎo)通，輸出電壓Vout輸出高電平，當(dāng)電路偵測(cè)到第二高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout輸出低電平。

進(jìn)一步地，所述鎖定解鎖單元包括NPN三極管Q2、電阻R3、電阻R6、電容C1和電容C2，NPN三極管Q2的集電極連接電阻R2的另一端和電容C1的一端，NPN三極管Q2的基極連接電容C2的一端和電阻R5的一端，NPN三極管Q2的發(fā)射極接地，電容C2的另一端連接電阻R3的一端和電阻R6的另一端，電阻R3的另一端連接電容C1的另一端；

當(dāng)電路偵測(cè)到第一高頻窄脈沖信號(hào)時(shí)，Vcc通過(guò)電阻R1、電阻R2、電容C1、電阻R3、電容C2、電阻R5通路導(dǎo)通，NPN三極管Q2的基極得到第一分壓，NPN三極管Q2導(dǎo)通，P型MOSFET管Q1的柵極電壓降低，P型MOSFET管Q1導(dǎo)通，輸出電壓Vout輸出高電平，所述分壓?jiǎn)卧oNPN三極管Q2的基極提供第二分壓，NPN三極管Q2和P型MOSFET管Q1維持持續(xù)導(dǎo)通狀態(tài)，輸出電壓Vout持續(xù)輸出高電平，第一高頻窄脈沖信號(hào)被鎖定，