[發明專利]一種高頻窄脈沖檢測鎖定電路及方法

有效

• 申請號: 201911049661.2
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN110850201B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 王旭
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 王敏

1.一種高頻窄脈沖檢測鎖定電路，其特征在于，所述電路包括控制單元、鎖定解鎖單元、分壓單元和保護單元，所述控制單元連接鎖定解鎖單元和分壓單元，所述保護單元連接鎖定解鎖單元；

所述控制單元用于所述電路偵測到第一高頻窄脈沖信號時輸出高電平，所述電路偵測到第二高頻窄脈沖信號時輸出低電平，

所述鎖定解鎖單元用于鎖定第一高頻窄脈沖信號或解鎖第一高頻窄脈沖信號，

所述分壓單元用于給鎖定解鎖單元提供分壓，

所述保護單元用于過壓保護；

所述控制單元包括P型MOSFET管Q1、電阻R1和電阻R2,P型MOSFET管Q1的柵極連接電阻R1的一端和電阻R2的一端，P型MOSFET管Q1的源極連接電阻R1的另一端和Vcc，P型MOSFET管Q1的漏極連接輸出電壓Vout和電阻R6的一端；當電路上電后，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout輸出低電平，當電路偵測到第一高頻窄脈沖信號時，P型MOSFET管Q1導通，輸出電壓Vout輸出高電平，當電路偵測到第二高頻窄脈沖信號時，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout輸出低電平；

所述鎖定解鎖單元包括NPN三極管Q2、電阻R3、電阻R6、電容C1和電容C2，NPN三極管Q2的集電極連接電阻R2的另一端和電容C1的一端，NPN三極管Q2的基極連接電容C2的一端和電阻R5的一端，NPN三極管Q2的發射極接地，電容C2的另一端連接電阻R3的一端和電阻R6的另一端，電阻R3的另一端連接電容C1的另一端；

當電路偵測到第一高頻窄脈沖信號時，Vcc通過電阻R1、電阻R2、電容C1、電阻R3、電容C2、電阻R5通路導通，NPN三極管Q2的基極得到第一分壓，NPN三極管Q2導通，P型MOSFET管Q1的柵極電壓降低，P型MOSFET管Q1導通，輸出電壓Vout輸出高電平，所述分壓單元給NPN三極管Q2的基極提供第二分壓，NPN三極管Q2和P型MOSFET管Q1維持持續導通狀態，輸出電壓Vout持續輸出高電平，第一高頻窄脈沖信號被鎖定，

當電路偵測到第二高頻窄脈沖信號時，NPN三極管Q2基極的第二分壓通過NPN三極管Q2集電極、電容C1、電阻R3和電容C2通路進行放電，NPN三極管Q2的基極電壓降低并截止，P型MOSFET管Q1的柵極電壓恢復Vcc，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout輸出低電平，第一高頻窄脈沖信號被解鎖。

2.根據權利要求1所述的一種高頻窄脈沖檢測鎖定電路，其特征在于，所述分壓單元包括電阻R4，電阻R4的一端連接Vout，電阻R4的另一端連接電阻R5的一端和電容C2的一端，電阻R5的另一端接地；電阻R4和電阻R5串聯，電阻R5用于給NPN三極管Q2的基極提供第二分壓。

3.根據權利要求1所述的一種高頻窄脈沖檢測鎖定電路，其特征在于，所述保護單元包括穩壓管ZD1和電阻R7，穩壓管ZD1的正極連接電阻R7的一端和電容C1的一端，穩壓管ZD1的負極連接電容C1的另一端和高頻窄脈沖的正輸入端，電阻R7的另一端連接高頻窄脈沖的負輸入端；穩壓管ZD1用于過壓保護，電阻R7用于限流。

4.一種高頻窄脈沖檢測鎖定方法，基于權利要求1-3任一項所述的 電路實現，其特征在于，所述方法包括：

當電路上電后且沒有偵測到高頻窄脈沖信號時，P型MOSFET管Q1和NPN三極管Q2截止，輸出電壓Vout輸出低電平；

當電路偵測到第一高頻窄脈沖信號時，第一高頻窄脈沖信號被鎖定；

當電路偵測到第二高頻窄脈沖信號時，第一高頻窄脈沖信號被解鎖。

5.根據權利要求4所述的一種高頻窄脈沖檢測鎖定方法，其特征在于，第一高頻窄脈沖信號被鎖定的過程為，當電路偵測到第一高頻窄脈沖信號時，NPN三極管Q2的基極得到第一分壓，NPN三極管Q2導通，P型MOSFET管Q1導通，輸出電壓Vout輸出高電平，電阻R5為NPN三極管Q2的基極提供第二分壓，NPN三極管Q2和P型MOSFET管Q1維持導通狀態，輸出電壓Vout持續輸出高電平。

6.根據權利要求4所述的一種高頻窄脈沖檢測鎖定方法，其特征在于，第一高頻窄脈沖信號被解鎖的過程為，當電路偵測到第二高頻窄脈沖信號時，NPN三極管Q2基極的第二分壓通過NPN三極管Q2集電極、電容C1、電阻R3和電容C2通路進行快速放電，NPN三極管Q2截止，P型MOSFET管Q1截止，輸出電壓Vout持續輸出低電平。