[發明專利]顯示基板的制備方法及顯示基板有效
| 申請號: | 201911047894.9 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN110752187B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 馬紅星;李素華;黃毅;顏衡;任佳佩;胡慶元;宮雪茹 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L23/544;H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京曼威知識產權代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志煒 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 制備 方法 | ||
本申請提供了一種顯示基板的制備方法及顯示基板。制備方法包括:制備陣列基板,陣列基板包括多個間隔設置的顯示面板區域及外圍區域,外圍區域設有與多個顯示面板區域一一對應的測試區;每一顯示面板區域的顯示區內設有多個像素電極,每一測試區內設有與對應的顯示區的多個像素電極一一對應的導電塊,導電塊與對應的像素電極通過連接部電連接;對于每一顯示區中的每一像素電極,檢測像素電極、該像素電極對應的導電塊及該像素電極對應的連接部的總阻值;計算總阻值與對應的標準阻值之間的差值;判斷差值與標準阻值的比值是否在閾值范圍內;若判斷出比值不在閾值范圍內,則確定像素電極上有導電材料;對像素電極上的導電材料進行刻蝕。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板的制備方法及顯示基板。
背景技術
隨著電子設備的快速發展,用戶對屏占比的要求越來越高,使得電子設備的全面屏顯示受到業界越來越多的關注。傳統的電子設備如手機、平板電腦等,由于需要集成諸如前置攝像頭、聽筒以及紅外感應元件等,一般通過在顯示屏上開孔,在開孔區域內設置攝像頭、聽筒以及紅外感應元件等。
制備顯示屏的過程中,在開孔區域打孔前,一般會在顯示屏中像素的像素電極上方形成保護膜層,在開孔后將保護膜層去除,以避免打孔過程中損害顯示屏的膜層。保護膜層一般為導電材料,若像素電極上的導電材料有殘留,可能會使得相鄰的像素電極電連接,影響顯示屏的顯示效果。
發明內容
根據本申請實施例的第一方面,提供了一種顯示基板的制備方法,所述制備方法包括:
制備陣列基板,所述陣列基板包括多個間隔設置的顯示面板區域及外圍區域,所述外圍區域設有與多個所述顯示面板區域一一對應的測試區,每一所述顯示面板區域包括顯示區及開孔區;每一所述顯示區內設有多個像素電極,每一所述測試區內設有與對應的所述顯示區的多個像素電極一一對應的導電塊;所述導電塊與對應的所述像素電極通過連接部電連接;
對于每一所述顯示區中的每一像素電極,檢測所述像素電極、該像素電極對應的所述導電塊及該像素電極對應的連接部的總阻值;
計算所述總阻值與對應的標準阻值之間的差值;所述標準阻值為所述像素電極上無導電材料時所述像素電極、所述像素電極對應的所述導電塊及所述像素電極對應的連接部的阻值之和;
判斷所述差值與所述標準阻值的比值是否在閾值范圍內;
若判斷出所述比值不在所述閾值范圍內,則確定所述像素電極上有導電材料;
對所述像素電極上的導電材料進行刻蝕。
在一個實施例中,所述閾值范圍為大于等于-50%且小于等于50%;
優選的,所述閾值范圍為大于等于-20%且小于等于20%;
優選的,所述閾值范圍為大于等于-15%且小于等于15%。如此,可較精確地檢測出像素電極上是否有導電材料殘留。
在一個實施例中,所述制備陣列基板進一步包括:
提供襯底,所述襯底包括與多個所述顯示區一一對應的第一區、與多個所述測試區一一對應的第二區及與多個所述開孔區一一對應的第三區;
在所述襯底上形成所述像素電極,所述像素電極在所述襯底上的投影位于所述第一區;
在所述像素電極上形成導電層,所述導電層在所述襯底上的投影覆蓋所述襯底;
在所述開孔區進行打孔;
對所述導電層進行刻蝕,以將位于所述第一區上方的所述導電層去除,且位于所述第二區上方的所述導電層形成多個所述導電塊,所述導電材料為所述導電層在所述像素電極上殘留的材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





