[發明專利]顯示基板的制備方法及顯示基板有效
| 申請號: | 201911047894.9 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN110752187B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 馬紅星;李素華;黃毅;顏衡;任佳佩;胡慶元;宮雪茹 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L23/544;H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京曼威知識產權代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志煒 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 制備 方法 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
制備陣列基板,所述陣列基板包括多個間隔設置的顯示面板區域及外圍區域,所述外圍區域設有與多個所述顯示面板區域一一對應的測試區,每一所述顯示面板區域包括顯示區及開孔區;每一所述顯示區內設有多個像素電極,每一所述測試區內設有與對應的所述顯示區的多個像素電極一一對應的導電塊;所述導電塊與對應的所述像素電極通過連接部電連接;
對于每一所述顯示區中的每一像素電極,檢測所述像素電極、該像素電極對應的所述導電塊及該像素電極對應的連接部的總阻值;
計算所述總阻值與對應的標準阻值之間的差值;所述標準阻值為所述像素電極上無導電材料時所述像素電極、所述像素電極對應的所述導電塊及所述像素電極對應的連接部的阻值之和;
判斷所述差值與所述標準阻值的比值是否在閾值范圍內;
若判斷出所述差值不在所述閾值范圍內,則確定所述像素電極上有導電材料;
對所述像素電極上的導電材料進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述閾值范圍為大于等于-50%且小于等于50%。
3.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述閾值范圍為大于等于-15%且小于等于15%。
4.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述制備陣列基板進一步包括:
提供襯底,所述襯底包括與多個所述顯示區一一對應的第一區、與多個所述測試區一一對應的第二區及與多個所述開孔區一一對應的第三區;
在所述襯底上形成所述像素電極,所述像素電極在所述襯底上的投影位于所述第一區;
在所述像素電極上形成導電層,所述導電層在所述襯底上的投影覆蓋所述襯底;
在所述開孔區進行打孔;
對所述導電層進行刻蝕,以將位于所述第一區上方的所述導電層去除,且位于所述第二區上方的所述導電層形成多個所述導電塊,所述導電材料為所述導電層在所述像素電極上殘留的材料。
5.根據權利要求4所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述導電層的材質包括氧化銦鋅及氧化銦錫中的至少一種。
6.根據權利要求4所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述連接部包括走線及位于所述走線下方的金屬塊,所述走線的兩端分別與對應的像素電極及導電塊電連接,所述金屬塊與所述走線電連接。
7.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述陣列基板還包括與多個所述像素電極一一對應的像素電路,所述像素電路包括晶體管和電容;所述晶體管包括半導體層、柵電極、源電極和漏電極,所述電容包括上極板和下極板;所述走線與所述晶體管的源電極在同一工藝步驟中形成。
8.根據權利要求7所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述金屬塊與所述上極板在同一工藝步驟中形成。
9.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述金屬塊在所述襯底上的投影位于所述第二區。
10.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述導電塊與對應的所述像素電極的尺寸相同。
11.根據權利要求10所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述顯示面板區域中的多個所述像素電極的密度、與對應的所述測試區內的多個導電塊的密度相同。
12.根據權利要求10所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,多個所述顯示面板區域中,不同所述顯示面板區域中位置相對應的像素電極的尺寸相同,且位置相對應的像素電極對應的連接部的尺寸相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





