[發明專利]一種Micro OLED顯示器結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911047116.X
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN110739341A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 李雪原;任清江;晉芳銘;曹賀;呂磊;許嵩
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/77
• 代理公司: 34107 蕪湖安匯知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘雪

本發明公開了一種Micro OLED顯示器結構及其制備方法，結構包括：基底，基底包括PAD連接區域及非PAD連接區，PAD連接區的基底厚度薄于非PAD連接區的基底厚度，CMOS驅動電路設于非PAD連接區上，PAD連接區上設有若干個TSV通孔，TSV通孔內形成有與TSV通孔尺寸相適配的金屬柱，在基底的下表面設有金屬PAD，金屬PAD的上表面覆蓋整個金屬柱的底面，在基底的上表面設有OLED發光區，在OLED發光區的上表面、未覆蓋OLED發光區的基底上表面以及金屬柱頂面設有連續的封裝薄膜。本發明通過硅深孔的技術手段，使得金屬PAD與CMOS電路通過導電介質連接，將金屬PAD設置在OLED發光區對側，不需要使用TFE圖案化制程，降低工藝復雜性，節省工藝成本，提升整體制程的良率。

技術領域

本發明屬于OLED顯示技術領域，更具體地，本發明涉及一種Micro OLED顯示器結構及其制備方法。

背景技術

Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被稱為下一代顯示技術的黑馬，現已廣泛應用于機戴頭盔、槍瞄、夜視儀等軍用市場，并且隨著AR/VR以及自動駕駛等新技術的應用，Micro OLED微顯示器將迎來爆發式的增長。市場上現有的終端產品多為頭戴式或穿戴式設備。

Micro OLED制備流程基本可以概括為CMOS制備，OLED蒸鍍，TFE封裝，彩膜制備，蓋板貼合，模組制備等；現有技術為正面制備TFE結構，通過干刻或者激光刻蝕對TFE結構進行圖案化，漏出與顯示區同側的金屬pad結構，從而配合后續的模組制備。其制備過程如圖1所示，這種方法的缺點是：工藝制程繁雜，對TFE的可靠性有影響等缺點。

發明內容

本發明提供一種Micro OLED顯示器結構，通過TSV硅深孔技術，將金屬Pad放置在顯示區背側，從而省去了TFE圖案化的工藝制程并且同時提高整體器件的可靠性。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種Micro OLED顯示器結構，所述結構包括：

基底，所述基底包括PAD連接區域及非PAD連接區，PAD連接區的基底厚度薄于非PAD連接區的基底厚度，CMOS驅動電路設于非PAD連接區上，PAD連接區上設有若干個TSV通孔，TSV通孔內形成有與TSV通孔尺寸相適配的金屬柱，在基底的下表面設有金屬Pad，金屬PAD的上表面覆蓋整個金屬柱的底面，在基底的上表面設有OLED發光區，在OLED發光區的上表面、未覆蓋OLED發光區的基底上表面以及金屬柱頂面設有連續的封裝薄膜。

進一步的，所述PAD連接區的基底厚度200～400um，非PAD連接區的基底厚度為600～1000um。

進一步的，TSV通孔的孔徑為50～200um。

進一步的，在金屬PDA的底部制備有保護層，所述保護層為PEN薄膜或PET薄膜。

進一步的，在金屬柱的上表面設有增強PAD連接區域機械強度的硬質膜層，硬質膜層的材料為SIN或SIO，其厚度為300-100nm。

進一步的，所述金屬柱的材料由Ti層、Al層、Ti層的混合層結構組成。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種Micro OLED顯示器結構的制備方法，所述方法具體包括如下步驟：

S1、在基底的非PAD連接區制備CMOS驅動電路；

S2、對基底的PAD連接區進行減薄，形成減薄區域；

S3、在減薄區域上制備TSV通孔，在TSV通孔被填充金屬材料，形成金屬柱；

S4、在基底的下表面制備有金屬PAD，金屬PAD覆蓋了整個金屬柱底面；