[發明專利]一種Micro OLED顯示器結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911047116.X
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN110739341A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 李雪原;任清江;晉芳銘;曹賀;呂磊;許嵩
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/77
• 代理公司: 34107 蕪湖安匯知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘雪

1.一種Micro OLED顯示器結構，其特征在于，所述結構包括：

基底，所述基底包括PAD連接區域及非PAD連接區，PAD連接區的基底厚度薄于非PAD連接區的基底厚度，CMOS驅動電路設于非PAD連接區上，PAD連接區上設有若干個TSV通孔，TSV通孔內形成有與TSV通孔尺寸相適配的金屬柱，在基底的下表面設有金屬Pad，金屬PAD的上表面覆蓋整個金屬柱的底面，在基底的上表面設有OLED發光區，在OLED發光區的上表面、未覆蓋OLED發光區的基底上表面以及金屬柱頂面設有連續的封裝薄膜。

2.如權利要求1所述Micro OLED顯示器結構，其特征在于，所述PAD連接區的基底厚度200～400um，非PAD連接區的基底厚度為600～1000um。

3.如權利要求1所述Micro OLED顯示器結構，其特征在于，TSV通孔的孔徑為50～200um。

4.如權利要求1所述Micro OLED顯示器結構，其特征在于，在金屬PDA的底部制備有保護層，所述保護層為PEN薄膜或PET薄膜。

5.如權利要求1所述Micro OLED顯示器結構，其特征在于，在金屬柱的上表面設有增強PAD連接區域機械強度的硬質膜層，硬質膜層的材料為SIN或SIO，其厚度為300-100nm。

6.如權利要求1所述Micro OLED顯示器結構，其特征在于，所述金屬柱的材料由Ti層、Al層、Ti層的混合層結構組成。

7.權利要求1至6任一權利要求所述Micro OLED顯示器結構的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括如下步驟：

S1、在基底的非PAD連接區制備CMOS驅動電路；

S2、對基底的PAD連接區進行減薄，形成減薄區域；

S3、在減薄區域上制備TSV通孔，在TSV通孔被填充金屬材料，形成金屬柱；

S4、在基底的下表面制備有金屬PAD，金屬PAD覆蓋了整個金屬柱底面；

S5、在基底的上表面制備有OLED發光區，在OLED發光區的上表面、未覆蓋OLED發光區的基底上表面以及金屬柱頂面上制備有連續的封裝薄膜。

8.如權利要7所述Micro OLED顯示器結構的制備方法，其特征在于，所述PAD連接區的基底厚度200～400um，非PAD連接區的基底厚度為600～1000um。

9.如權利要7所述Micro OLED顯示器結構的制備方法，其特征在于，在金屬PDA的底部制備有保護層，所述保護層為PEN薄膜或PET薄膜。

10.如權利要7所述Micro OLED顯示器結構的制備方法，其特征在于，在金屬柱的上表面設有增強PAD連接區域機械強度的硬質膜層，硬質膜層的材料為SIN或SIO，其厚度為300-100nm。