[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911046623.1 | 申請日: | 2019-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN111128741B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳彥廷;李威養(yǎng);楊豐誠;陳燕銘 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L27/092 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種包括氣態(tài)間隔件的半導(dǎo)體器件及其形成方法。在一個實施例中,一種方法,包括:在襯底上形成柵極疊層;在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成第一柵極間隔件;在所述第一柵極間隔件上形成第二柵極間隔件;移除所述第二柵極間隔件的一部分,保留所述第二柵極間隔件的至少一部分;移除所述第一柵極間隔件,以形成第一開口;以及在移除所述第一柵極間隔件后,通過所述第一開口移除所述第二柵極間隔件的所述保留部分。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請的實施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,并且更具體地,涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用,比如個人計算機、手機、數(shù)碼相機和其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件通常通過在半導(dǎo)體襯底上順序沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層,并使用光刻圖案化各種材料層以在其上形成電路部件和元件來制造。
半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸來繼續(xù)改善各種電子部件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度,這使更多部件可集成到給定區(qū)域中。但是,隨著最小部件尺寸的減小,出現(xiàn)了應(yīng)該解決的其他問題。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本申請的實施例,提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:在襯底上形成柵極疊層;在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成第一柵極間隔件;在所述第一柵極間隔件上形成第二柵極間隔件;移除所述第二柵極間隔件的一部分,其中,保留所述第二柵極間隔件的至少一部分;移除所述第一柵極間隔件,以形成第一開口;以及在移除所述第一柵極間隔件后,通過所述第一開口移除所述第二柵極間隔件的保留部分。
根據(jù)本申請的實施例,提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:在半導(dǎo)體襯底上形成柵極疊層;在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成柵極間隔件;在所述柵極疊層的相對側(cè)上外延生長源極/漏極區(qū)域;移除所述柵極間隔件的至少一部分,以形成開口;以及沉積密封所述開口的介電層,并在所述柵極間隔件的側(cè)壁上限定氣態(tài)間隔件。
根據(jù)本申請的實施例,提供了一種半導(dǎo)體器件,包括:柵極疊層,所述柵極疊層位于半導(dǎo)體襯底上;第一柵極間隔件,所述第一柵極間隔件設(shè)置在所述柵極疊層的側(cè)壁上;接觸蝕刻停止層,所述接觸蝕刻停止層靠近所述第一柵極間隔件;氣態(tài)間隔件,所述氣態(tài)間隔件設(shè)置在所述柵極疊層和所述接觸蝕刻停止層之間;以及外延源極/漏極區(qū)域,所述外延源極/漏極區(qū)域位于所述半導(dǎo)體襯底中,其中,所述氣態(tài)間隔件的至少一部分延伸在所述外延源極/漏極區(qū)域和所述半導(dǎo)體襯底之間。
附圖說明
當(dāng)與附圖一起閱讀時,從下面的詳細描述可以最好地理解本發(fā)明的實施例。應(yīng)該強調(diào)的是,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐,各個部件沒有被按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以被任意增加或減少。
圖1示出了根據(jù)一些實施例的三維視圖中的FinFET的示例。
圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8A至圖8D、圖9A至圖9D、圖10A至圖10D、圖11A至圖11E、圖12A至圖12D、圖13A至圖13D、圖14A至圖14D、圖15A至圖15D、圖16A至圖16E、圖17A至圖17D、圖18A至圖18E、圖19A至圖19D、圖20A至圖20D和凸21A至圖21D是根據(jù)一些實施例的FinFET制造中的中間階段的截面圖。
具體實施方式
以下公開為實現(xiàn)本發(fā)明的不同功能提供了諸多不同的實施例或者實例。以下將描述組件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然,這些僅是實例并且不意欲限制本發(fā)明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例,也可以包括在第一部件和第二部件之間形成的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。此外,本發(fā)明可能會在各種實例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





