[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911046623.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN111128741B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥廷;李威養(yǎng);楊豐誠;陳燕銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L27/092
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成柵極疊層；

在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成第一柵極間隔件；

在所述第一柵極間隔件上形成第二柵極間隔件；

移除所述第二柵極間隔件的一部分，其中，保留所述第二柵極間隔件的至少一部分；

在所述第一柵極間隔件和所述第二柵極間隔件上形成接觸蝕刻停止層；

移除所述第一柵極間隔件，以形成第一開口；以及

在移除所述第一柵極間隔件后，通過所述第一開口移除所述第二柵極間隔件的保留部分以限定氣態(tài)間隔件，

其中，在與所述襯底的主表面平行的方向上，所述氣態(tài)間隔件設(shè)置在所述柵極疊層和所述接觸蝕刻停止層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二柵極間隔件包括氮化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一柵極間隔件包括氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過使用汽相氟化氫的蝕刻，移除所述第一柵極間隔件和所述第二柵極間隔件的保留部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述柵極疊層的相對(duì)側(cè)上外延生長(zhǎng)源極/漏極區(qū)域，其中，在所述源極/漏極區(qū)域和所述襯底之間設(shè)置所述第二柵極間隔件的所述保留部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在移除所述第二柵極間隔件的部分之后，在所述柵極疊層的相對(duì)側(cè)上外延生長(zhǎng)源極/漏極區(qū)域，其中，在移除所述第一柵極間隔件之前，外延生長(zhǎng)所述源極/漏極區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在移除所述第一柵極間隔件之前，用金屬柵極替換所述柵極疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，通過干法蝕刻，移除所述第一柵極間隔件和所述第二柵極間隔件的保留部分。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成柵極疊層；

在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成柵極間隔件；

在所述柵極疊層的相對(duì)側(cè)上外延生長(zhǎng)源極/漏極區(qū)域；

在所述柵極間隔件和所述源極/漏極區(qū)域上形成接觸蝕刻停止層；

移除所述柵極間隔件的至少一部分，以形成開口；以及

沉積密封所述開口的介電層，并在所述柵極間隔件的側(cè)壁上限定氣態(tài)間隔件，其中，在與所述半導(dǎo)體襯底的主表面平行的方向上，所述氣態(tài)間隔件設(shè)置在所述柵極疊層和所述接觸蝕刻停止層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在外延生長(zhǎng)所述源極/漏極區(qū)域之前，移除所述柵極間隔件的第一部分，并在外延生長(zhǎng)所述源極/漏極區(qū)域之后，移除所述柵極間隔件的第二部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述柵極間隔件包括：在所述柵極疊層上沉積第一柵極間隔件層、在所述第一柵極間隔件層上沉積第二柵極間隔件層、以及在所述第二柵極間隔件層上沉積第三柵極間隔件層，所述第一柵極間隔件層、所述第二柵極間隔件層和所述第三柵極間隔件層中的每個(gè)包括不同的材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一柵極間隔件層包括氮碳化硅、所述第二柵極間隔件層包括氮化硅，且所述第三柵極間隔件層包括氧化硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一部分包括所述第三柵極間隔件層的一部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二部分包括所述第二柵極間隔件層和所述第三柵極間隔件層的保留部分。