[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體制造設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911045780.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111128795A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊建勛;林立德;林斌彥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括一來(lái)源腔室以及一加工腔室。來(lái)源腔室可操作以產(chǎn)生數(shù)個(gè)荷電粒子；加工腔室與來(lái)源腔室結(jié)合，且配置以從來(lái)源腔室接收荷電粒子。加工腔室包括一晶圓臺(tái)以及一激光荷電粒子交互作用模塊。晶圓臺(tái)可操作以固定及移動(dòng)晶圓；激光荷電粒子交互作用模塊還包括一激光源、一光束分離器以及一反射鏡。激光源產(chǎn)生第一激光光束；光束分離器配置以分離第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射鏡配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新導(dǎo)向以與第二激光光束相交，以在荷電粒子的路徑形成激光干涉圖樣，且激光干涉圖樣在微區(qū)域模式中調(diào)制荷電粒子，以使用被調(diào)制的荷電粒子加工晶圓。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體制造設(shè)備及方法，特別涉及一種包括激光荷電粒子交互作用的半導(dǎo)體制造設(shè)備及方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)性的成長(zhǎng)。集成電路材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已生產(chǎn)了多個(gè)世代的集成電路，其中每個(gè)世代都比前一個(gè)世代具有更小且更復(fù)雜的電路。在集成電路演化的過(guò)程中，在幾何尺寸(例如，使用制造制程可產(chǎn)生的最小元件或線段)減小的同時(shí)，功能性密度(例如，每單位芯片區(qū)域的互連裝置數(shù)量)通常會(huì)增加。此縮小化的過(guò)程通常通過(guò)增加生產(chǎn)效率及降低相關(guān)成本而提供效益。這樣的縮小化也增加了加工及生產(chǎn)集成電路的復(fù)雜性，而且為了實(shí)現(xiàn)上述進(jìn)展，在集成電路加工及生產(chǎn)中需要相似的發(fā)展。在一個(gè)實(shí)例中，蝕刻制程(例如等離子體蝕刻)可因蝕刻制程的特性而意外地改變圖樣(pattern)的維度，還可導(dǎo)致短路、橋接(bridging)或其他品質(zhì)及可靠度的問(wèn)題。因此，提供不具有以上討論的缺點(diǎn)的一種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)及運(yùn)用此系統(tǒng)的方法是被期望的。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括一來(lái)源腔室以及一加工腔室。來(lái)源腔室可操作以產(chǎn)生數(shù)個(gè)荷電粒子；加工腔室與來(lái)源腔室結(jié)合，且配置以從來(lái)源腔室接收荷電粒子。加工腔室包括一晶圓臺(tái)以及一激光荷電粒子交互作用模塊。晶圓臺(tái)可操作以固定及移動(dòng)晶圓；激光荷電粒子交互作用模塊還包括一激光源、一光束分離器以及一反射鏡。激光源產(chǎn)生第一激光光束；光束分離器配置以分離第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射鏡配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新導(dǎo)向以與第二激光光束相交，以在荷電粒子的路徑形成激光干涉圖樣，且激光干涉圖樣在微區(qū)域模式中調(diào)制荷電粒子，以使用被調(diào)制的荷電粒子加工晶圓。

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括一來(lái)源腔室、一加工腔室、一晶圓臺(tái)以及一激光電子束交互作用模塊。來(lái)源腔室可操作以產(chǎn)生電子束；加工腔室與來(lái)源腔室結(jié)合，且配置以從來(lái)源腔室接收數(shù)個(gè)荷電粒子；晶圓臺(tái)配置在加工腔室中，可操作以固定及移動(dòng)晶圓；激光電子束交互作用模塊可操作以通過(guò)激光來(lái)調(diào)制電子束，以在使用電子束加工晶圓時(shí)，在微區(qū)域模式中具有空間圖樣。激光電子束交互作用模塊具有一激光交互作用單元以及一電磁場(chǎng)交互作用單元，串聯(lián)配置在電子束的路徑上，使得電子束按序地通過(guò)激光交互作用單元以及電磁場(chǎng)交互作用單元而被調(diào)制。

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體制造方法，包括加載一晶圓至一半導(dǎo)體制造設(shè)備之中，半導(dǎo)體制造設(shè)備包括：一來(lái)源腔室、一加工腔室、一晶圓臺(tái)以及一激光荷電粒子交互作用模塊。來(lái)源腔室可操作以產(chǎn)生數(shù)個(gè)荷電粒子；加工腔室與來(lái)源腔室結(jié)合，且配置以從來(lái)源腔室接收荷電粒子；晶圓臺(tái)配置在加工腔室中，且可操作以固定及移動(dòng)晶圓；激光荷電粒子交互作用模塊還包括一激光源、一光束分離器以及一反射鏡。激光源產(chǎn)生第一激光光束；光束分離器配置以分離第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射鏡配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新導(dǎo)向以與第二激光光束相交，以在荷電粒子的路徑形成激光干涉圖樣，且其中激光干涉圖樣在微區(qū)域模式中調(diào)制荷電粒子，以使用被調(diào)制的荷電粒子加工晶圓。上述方法還包括在半導(dǎo)體制造設(shè)備中產(chǎn)生荷電粒子；用荷電粒子干涉激光光束，使得荷電粒子被空間地調(diào)制；以及使用被調(diào)制的荷電粒子對(duì)晶圓執(zhí)行半導(dǎo)體制程。

附圖說(shuō)明