[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911045780.0
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111128795A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊建勛;林立德;林斌彥
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：

一來源腔室，可操作以產(chǎn)生多個荷電粒子；以及

一加工腔室，與該來源腔室結(jié)合，且配置以從該來源腔室接收所述荷電粒子，其中該加工腔室包括：

一晶圓臺，可操作以固定及移動一晶圓；以及

一激光荷電粒子交互作用模塊，其中還包括一激光源，以產(chǎn)生一第一激光光束；一光束分離器，配置以分離該第一激光光束成一第二激光光束及一第三激光光束；以及一反射鏡，配置以反射該第三激光光束，使得該第三激光光束被重新導(dǎo)向以與該第二激光光束相交，以在所述荷電粒子的一路徑形成一激光干涉圖樣，且其中該激光干涉圖樣在一微區(qū)域模式中調(diào)制所述荷電粒子，以使用被調(diào)制的所述荷電粒子加工該晶圓。