[發明專利]存儲器結構、靜態隨機存取存儲器結構及系統單芯片裝置

有效

• 申請號: 201911044466.0
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN111128274B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;G11C5/02;H01L27/11
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

1.一種存儲器結構，包括：

一第一靜態隨機存取存儲器巨集，包括復數第一柵極全環晶體管；以及

一第二靜態隨機存取存儲器巨集，包括復數第二柵極全環晶體管；

其中上述第一靜態隨機存取存儲器巨集的每個上述第一柵極全環晶體管包括在一水平方向延伸且相互垂直堆疊的M個第一類型通道區域，其中每個上述第一類型通道區域具有一第一通道寬度W1及一第一通道厚度T1；

其中上述第二靜態隨機存取存儲器巨集的每個上述第二柵極全環晶體管包括在上述水平方向延伸且相互垂直堆疊的M個第二類型通道區域，其中每個上述第二類型通道區域具有一第二通道寬度W2及一第二通道厚度T2；

其中M為一整數；

其中W2/T2大于W1/T1。

2.如權利要求1所述的存儲器結構，其中W1/T1介于約0.9至約2之間。

3.如權利要求1所述的存儲器結構，其中W2/T2介于約2至約10之間。

4.如權利要求1所述的存儲器結構，其中W2/W1介于約1.2至約5.0之間。

5.如權利要求1所述的存儲器結構，其中上述第一靜態隨機存取存儲器巨集由復數第一靜態隨機存取存儲器單元所組成，而上述第二靜態隨機存取存儲器巨集由復數第二靜態隨機存取存儲器單元所組成，其中每個上述第二靜態隨機存取存儲器單元所具有的寬度大于每個上述第一靜態隨機存取存儲器單元的寬度。

6.如權利要求5所述的存儲器結構，其中上述第一靜態隨機存取存儲器單元包括一第一單元間距，而上述第二靜態隨機存取存儲器單元包括大于上述第一單元間距的一第二單元間距。

7.如權利要求1所述的存儲器結構，其中上述第一靜態隨機存取存儲器巨集的復數第一位元線層具有一第一位元線寬度，而上述第二靜態隨機存取存儲器巨集的復數第二位元線層具有一第二位元線寬度，其中上述第二位元線寬度大于上述第一位元線寬度。

8.如權利要求7所述的存儲器結構，其中上述第二位元線寬度是上述第一位元線寬度的至少1.2倍。

9.一種靜態隨機存取存儲器結構，包括：

一第一六晶體管靜態隨機存取存儲器巨集，包括復數第一單元，每個上述第一單元具有復數N型第一類型柵極全環晶體管以及復數P型第一類型柵極全環晶體管；以及

一第二六晶體管靜態隨機存取存儲器巨集，包括復數第二單元，每個上述第二單元具有復數N型第二類型柵極全環晶體管以及上述P型第一類型柵極全環晶體管；

其中每個上述N型第一類型柵極全環晶體管以及上述P型第一類型柵極全環晶體管包括在一水平方向延伸且相互垂直堆疊的M個第一類型通道區域，每個上述第一類型通道區域具有一第一通道寬度W1及一第一通道厚度T1；

其中每個上述N型第二類型柵極全環晶體管包括在上述水平方向延伸且相互垂直堆疊的M個第二類型通道區域，每個上述第二類型通道區域具有一第二通道寬度W2及一第二通道厚度T2；

其中M為一整數；

其中W2/T2大于W1/T1。

10.如權利要求9所述的靜態隨機存取存儲器結構，其中上述第一六晶體管靜態隨機存取存儲器巨集的每個上述第一單元包括：

一第一傳輸柵節點，包括上述N型第一類型柵極全環晶體管中的一者；

一第一下拉節點，包括上述N型第一類型柵極全環晶體管中的另一者；以及

一第一上拉節點，包括上述P型第一類型柵極全環晶體管中的一者；

其中上述第二六晶體管靜態隨機存取存儲器巨集的每個上述第二單元包括：

一第二傳輸柵節點，包括上述N型第二類型柵極全環晶體管中的一者；

一第二下拉節點，包括上述N型第二類型柵極全環晶體管中的另一者；以及

一第二上拉節點，包括上述P型第一類型柵極全環晶體管中的一者。